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龙图腾网恭喜武汉华星光电技术有限公司申请的专利显示器的像素结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN109001940B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201811139431.0，技术领域涉及：G02F1/1337；该发明授权显示器的像素结构是由王超;梅新东设计研发完成，并于2018-09-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本显示器的像素结构在说明书摘要公布了：本发明公开一种显示器的像素结构，包含：一第一像素区域；及一第二像素区域，与所述第一像素区域相邻接；其中所述第一像素区域具有一第一直流残留电场，所述第二像素区域具有一第二直流残留电场，所述第一直流残留电场与所述第二直流残留电场彼此的电场方向相反。本发明通过电极结构的交替设计，以达到降低或消除聚集在绝缘层与电极间的残余离子,从而减弱或消除残像现象。

本发明授权显示器的像素结构在权利要求书中公布了：1.一种显示器的像素结构，其特征在于：所述像素结构包含： 一第一像素区域，所述像素结构在所述第一像素区域中包含： 一第一电极； 一绝缘保护层，设置于所述第一电极上； 一第二电极，设置于所述绝缘保护层上；及 一绝缘层，设置于所述第二电极上；以及 一第二像素区域，与所述第一像素区域相邻接，所述像素结构在所述第二像素区域中包含所述第一电极、所述绝缘保护层、所述第二电极及所述绝缘层，其中所述绝缘保护层设置于所述第二电极上，所述第一电极设置于所述绝缘保护层上，及所述绝缘层设置于所述第一电极上； 其中在所述第一像素区域中的所述绝缘层具有一第一离子极性，在所述第二像素区域中的所述绝缘层具有一第二离子极性，所述第一离子极性与所述第二离子彼此的极性相反，所述第一离子极性的多个第一离子及所述第二离子极性的多个第二离子通过所述绝缘层重新分布扩散或中和； 所述第一像素区域内的第一电极与所述第二像素区域内的所述第二电极同层设置，所述第一像素区域内的所述第二电极与所述第二像素区域内的所述第一电极同层设置； 其中，在所述第一像素区域中的所述绝缘层与所述第二电极相接触；在所述第二像素区域中的所述绝缘层与所述第一电极相接触，所述绝缘层为一聚酰亚胺层；所述第一像素区域具有一第一直流残留电场，所述第二像素区域具有一第二直流残留电场，所述第一直流残留电场与所述第二直流残留电场彼此的电场方向相反，所述绝缘层配置为使所述第一直流残留电场及所述第二直流残留电场通过所述绝缘层重新分布扩散，以降低或中和所述第一直流残留电场及所述第二直流残留电场。

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