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龙图腾网恭喜力特半导体(无锡)有限公司申请的专利具有不对称击穿电压的TVS二极管和组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112928168B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201911243673.9，技术领域涉及：H10D8/00；该发明授权具有不对称击穿电压的TVS二极管和组件是由曾剑飞;蔡颖达设计研发完成，并于2019-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本具有不对称击穿电压的TVS二极管和组件在说明书摘要公布了：在一个实施例中，不对称TVS器件可以包括：半导体衬底，该半导体衬底包括内部区域，该内部区域具有第一极性；以及设置在半导体衬底的第一表面上的第一表面区域，该第一表面区域包括与第一极性相反的第二极性。不对称TVS器件还可以包括第二表面区域，该第二表面区域包括第二极性，并且设置在半导体衬底的与第一表面相对的第二表面上，其中所述第一表面区域包括第一掺杂物浓度，并且其中所述第二表面区域包括大于所述第一掺杂物浓度的第二掺杂物浓度。

本发明授权具有不对称击穿电压的TVS二极管和组件在权利要求书中公布了：1.一种形成不对称瞬态电压抑制TVS器件的方法，包括： 提供半导体衬底，所述半导体衬底包括第一极性的第一掺杂物，并限定第一表面和与所述第一表面相对的第二表面； 执行所述半导体衬底的第一氧化工艺，其中第一氧化物层形成在所述第一表面上，并且第二氧化物层形成在所述第二表面上； 从所述半导体衬底的第一表面的至少第一区域去除所述第一氧化物层，同时不从所述第二表面去除所述第二氧化物层； 执行第一掺杂工艺，其中所述第一掺杂工艺生成所述第一表面上的第一表面区域，其具有与所述第一极性相反的第二极性的第二掺杂物的第一浓度； 执行所述半导体衬底的第二氧化工艺，其中在所述第一表面上的第一区域之上形成第三氧化物层，并且其中在所述第二氧化物层之上形成第四氧化物层； 从所述第二表面的至少第二区域去除所述第二氧化物层和所述第四氧化物层，同时不从所述第一表面去除所述第三氧化物层；以及 执行第二掺杂工艺，其中所述第二掺杂工艺生成所述第二表面上的第二表面区域，其具有第二极性的第二掺杂物的大于所述第一浓度的第二浓度。

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