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西安交通大学魏吉文获国家专利权

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龙图腾网获悉西安交通大学申请的专利一种低损耗的平面变压器绕组结构及变换器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN115020079B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210736937.X,技术领域涉及:H01F27/28;该发明授权一种低损耗的平面变压器绕组结构及变换器是由魏吉文;杨旭;陈文洁;王康平;尉哲元;吴佳芮;魏高昊;杨战武;钟泽设计研发完成,并于2022-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种低损耗的平面变压器绕组结构及变换器在说明书摘要公布了:本发明公开了一种低损耗的平面变压器绕组结构及变换器,包括变压器磁芯和包裹在所述变压器磁芯内的绕组,所述绕组包括五层原边绕组和四层副边绕组,由顶层向底层记,第一层、第三层、第五层、第七层和第九层为所述原边绕组,第二层、第四层、第六层和第八层为所述副边绕组,每层所述原边绕组和每层所述副边绕组之间贴合设置有绝缘层;所述第一层、第五层和第九层原边绕组并联,所述第三层和第七层原边绕组并联,所述第二层、第四层、第六层和第八层副边绕组并联。本发明充分抑制了高频下趋肤效应与临近效应,降低了平面变压器的损耗。

本发明授权一种低损耗的平面变压器绕组结构及变换器在权利要求书中公布了:1.一种低损耗的平面变压器绕组结构,其特征在于,包括变压器磁芯(1)和包裹在所述变压器磁芯(1)内的绕组(2),所述绕组(2)包括五层原边绕组(201)和四层副边绕组(202),由顶层向底层记,第一层、第三层、第五层、第七层和第九层为所述原边绕组(201),第二层、第四层、第六层和第八层为所述副边绕组(202),每层所述原边绕组(201)和每层所述副边绕组(202)之间贴合设置有绝缘层(203);所述第一层、第五层和第九层原边绕组(201)并联,所述第三层和第七层原边绕组(201)并联,所述第二层、第四层、第六层和第八层副边绕组(202)并联; 所述第一层和第九层原边绕组(201)的厚度为,所述第三层、第五层和第七层原边绕组(201)的厚度以及所述第二层、第四层、第六层和第八层副边绕组(202)的厚度为,其中: 式中,为变压器工作时绕组内电流的趋肤深度; 所述绕组(2)为PCB绕组,所述第一层、第五层和第九层原边绕组(201)通过过孔(3)并联,所述第三层和第七层原边绕组(201)通过过孔并联,所述第二层、第四层、第六层和第八层副边绕组(202)通过过孔并联。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人西安交通大学,其通讯地址为:710049 陕西省西安市咸宁西路28号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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