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龙图腾网获悉上海华力微电子有限公司申请的专利一种半导体测试结构、失效定位方法及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116169124B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310171806.6，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权一种半导体测试结构、失效定位方法及电子设备是由赵新伟;段淑卿;高金德设计研发完成，并于2023-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体测试结构、失效定位方法及电子设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种半导体测试结构、失效定位方法及电子设备。具体的，本发明所提供的测试结构中，其是在形成常规的用于将第一导电插塞和第二导电插塞的电性连接并引出到测试焊盘的金属层之前，新增加形成了一层将栅极区的多条多晶硅线、以及有源区中的第一导电插塞均以所述有源区阵列子单元为单位的方式分别分块电性连接并引出到上层的金属层第一金属层和第三金属层，从而可以通过第三金属层找到发生短路的多晶硅线之后，只需要对该条多晶硅线在其所对应的有源区中的有限个第一子金属线进行测试，便可较为准确的确定出所述有源区中的哪个有源区阵列子单元所对应的两个第一导电插塞发生了短路问题。

本发明授权一种半导体测试结构、失效定位方法及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体测试结构，其特征在于，包括： 有源区，包含多个有源区单元，所述多个有源区单元沿第一方向依次间隔排列； 栅极层，包含多条多晶硅线，所述多条多晶硅线沿与所述第一方向垂直的第二方向依次间隔排列在所述有源区上并沿所述第一方向至少贯穿所述有源区，以将所述有源区沿所述第一方向和第二方向划分成多个交错排布的有源区阵列子单元； 多个第一导电插塞，位于相邻所述多晶硅线之间的多个有源区单元上，且在由多条所述多晶硅线将所述有源区划分成的每个有源区阵列子单元所对应的有源区单元上均分别设置有两个分立的所述第一导电插塞； 第一金属层，包含多个第一子金属线，而每个所述第一子金属线则分别覆盖在每个所述有源区阵列子单元中所对应的两个所述第一导电插塞的表面上； 第二金属层，包含多条第二子金属线，每条所述第二子金属线均沿所述第二方向覆盖在一所述有源区单元上所设置的所有所述第一导电插塞的表面上，并延伸覆盖在该有源区单元所对应的其余表面上； 栅极区，所述栅极区与所述有源区在沿所述第一方向的方向上平行排布，且依次间隔排列在所述有源区上的所述多条多晶硅线，还沿所述第一方向延伸覆盖在所述栅极区中；以及， 多个第二导电插塞，所述多个第二导电插塞位于延伸到所述栅极区中的所述多条多晶硅线的表面上。

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