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上海馨欧集成微电有限公司请求不公布姓名获国家专利权

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龙图腾网获悉上海馨欧集成微电有限公司申请的专利一种抑制横向高阶模的声波谐振器及滤波器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN116683887B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202310282986.5,技术领域涉及:H03H9/25;该发明授权一种抑制横向高阶模的声波谐振器及滤波器是由请求不公布姓名设计研发完成,并于2023-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。

一种抑制横向高阶模的声波谐振器及滤波器在说明书摘要公布了:本发明涉及微电子器件领域,公开了一种抑制横向高阶模的声波谐振器及滤波器,包括支撑衬底,设置在支撑衬底上的压电薄膜,其材料包括钽酸锂或铌酸锂,设置在压电薄膜上的电极阵列,声波谐振器由横向电场激发,激发产生的声波传播方向为电极阵列法线的方向,且声波传播方向与声波相速度达到极值方向的夹角为第一夹角,第一夹角区间包括[1°,10°]或[‑1°,‑10°],声波能流方向与声波传播方向的夹角为第二夹角,第二夹角区间包括[3°,15°]或[‑3°,‑15°]。基于异质集成衬底,本发明实施例仅通过改变电极的面内取向,使声波传播方向偏离声波相速度取极值的方向,打破声波传播的对称性来抑制横向高阶模。

本发明授权一种抑制横向高阶模的声波谐振器及滤波器在权利要求书中公布了:1.一种抑制横向高阶模的声波谐振器,其特征在于,包括: 支撑衬底; 设置在所述支撑衬底上的压电薄膜;所述压电薄膜的材料包括钽酸锂或铌酸锂; 设置在所述压电薄膜上的电极阵列;所述电极阵列包括叉指电极阵列;所述叉指电极阵列包括叉指电极与假指;所述叉指电极与所述假指一一对应设置;所述压电薄膜的厚度小于或等于所述叉指电极的周期;所述假指的长度大于或等于所述叉指电极的周期的一半; 所述声波谐振器由横向电场激发; 激发产生的声波的传播方向为所述电极阵列法线的方向,且所述声波的传播方向与声波相速度达到极值的方向的夹角为第一夹角;所述第一夹角区间包括[1°,10°]或[-1°,-10°];其中,当所述声波谐振器的模式为水平剪切声表面波模式,且所述压电薄膜为旋转Y切的钽酸锂时,所述水平剪切声表面波模式下的声速达到极值的方向为晶体X轴方向; 所述声波的能流方向与所述声波的传播方向的夹角为第二夹角,所述第二夹角区间包括[3°,15°]或[-3°,-15°]。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人上海馨欧集成微电有限公司,其通讯地址为:201899 上海市嘉定区菊园新区环城路2222号6幢101室J;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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