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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117613090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311582189.5，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法是由成志杰;袁俊;郭飞;王宽;陈伟;吴阳阳;徐少东;彭若诗;朱厉阳;李明哲设计研发完成，并于2023-11-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法，属于半导体器件技术领域。该MOSFET器件结构包括衬底，在衬底上依次设置的第一外延层、P+埋层、第二外延层、P阱区、源极，沉积在所述衬底背离所述第一外延层的表面上的漏极，至少一个贯穿所述P阱区的栅极，用于隔离栅极和源极的层间介质层。栅极包括沉积于栅极沟槽内的栅极介质层和栅极材料。栅极的底部位于所述第二外延层中；所述P+埋层中设置有交替排列的第一电流通道和第二电流通道；所述第一电流通道位于所述栅极的正下方。该MOSFET器件结构既能提升器件的导通特性，又能对栅极沟槽的槽角有更好的保护，同时还不会牺牲芯片的面积。

本发明授权一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种宽禁带半导体沟槽MOSFET器件结构，其特征在于，包括衬底、设置在所述衬底上的第一外延层、设置在所述第一外延层上的P+埋层、设置在所述P+埋层上的第二外延层、设置在所述第二外延层上的P阱区、沉积在所述P阱区上的源极、至少一个贯穿所述P阱区的栅极、层间介质层和漏极；所述漏极沉积在所述衬底背离所述第一外延层的表面上；所述层间介质层用于隔离所述源极和所述栅极；所述栅极包括沉积于栅极沟槽内的栅极介质层和栅极材料；所述栅极的底部位于所述第二外延层中；所述P+埋层中设置有交替排列的第一电流通道和第二电流通道；所述第一电流通道位于所述栅极的正下方；所述栅极沟槽的两侧设置有源极沟槽，所述源极沟槽内沉积有源极介质层和多晶硅，围绕所述源极沟槽的外壁设置有源极P+区；所述第二电流通道位于所述源极沟槽的正下方且与所述源极P+区接触；所述MOSFET器件结构还包括位于所述栅极沟槽和所述第一电流通道之间的P+掩蔽层，所述P+掩蔽层与源极P+区电连接。

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