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龙图腾网获悉嘉兴傲威半导体有限公司申请的专利一种台面半导体器件玻璃钝化工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118969602B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411448079.4，技术领域涉及：H01L21/02；该发明授权一种台面半导体器件玻璃钝化工艺是由吴昊;冯羽设计研发完成，并于2024-10-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种台面半导体器件玻璃钝化工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体玻璃钝化技术领域，尤其是一种台面半导体器件玻璃钝化工艺，包括S1：装载载片，半导体器件被放置到化学气相沉积设备的加热炉中，然后关闭加热炉，S2：沉积钝化层，启动加热炉，当加热炉温度到达设定值后，向加热炉内输入反应气体进行反应沉积，S3：残留气体置换，输入惰性气体，对加热炉内的残留的反应气体置换，S4：退火处理，将沉积后的半导体器件加热到较高的温度，然后并保持一段时间，然后以适当的速度冷却，S5：取出载片，本发明解决了半导体器件玻璃钝化过程中的沉积步骤完成后，存在加热炉内残留气体采用抽真空法清理会影响钝化层的质量和稳定性，而采用惰性气体置换法成本高且效率低的问题。

本发明授权一种台面半导体器件玻璃钝化工艺在权利要求书中公布了：1.一种台面半导体器件玻璃钝化工艺，其特征在于：包括， S1：装载载片，半导体器件被放置到化学气相沉积设备的加热炉（2）中，然后关闭加热炉（2）； S2：沉积钝化层，启动加热炉（2），当加热炉（2）温度到达设定值后，向加热炉（2）内输入反应气体进行反应沉积； S3：残留气体置换，输入惰性气体，对加热炉（2）内的残留的反应气体置换； S4：退火处理，将沉积后的半导体器件加热到较高的温度，然后并保持一段时间，然后以适当的速度冷却； S5：取出载片，退火后，打开加热炉（2），将玻璃钝化后的半导体器件取出； S6：后处理和检测，对玻璃钝化的半导体器件进行研磨、抛光处理，并进行质量检测； 用于半导体器件生成沉积钝化层的化学气相沉积设备包括控制机柜（1）和加热炉（2）； 所述加热炉（2）包括炉体（201）和炉盖（202），且所述炉体（201）和炉盖（202）之间匹配开设有炉腔（203），所述炉腔（203）一侧设置有第一进气管（204），且所述第一进气管（204）上设置有第一电磁阀（205）； 所述炉腔（203）呈圆柱形开设，且所述炉腔（203）一端环形阵列开设有进气孔（206），所述炉腔（203）一端轴心位置开设有排气口（207）； 所述炉体（201）一端设置有气体置换组件（3），所述气体置换组件（3）与进气孔（206）和排气口（207）对应匹配； 所述炉盖（202）上开设有适配腔（208），且所述适配腔（208）和气体置换组件（3）匹配； 所述炉腔（203）的圆柱形两端分别设置有第一导向面（209）和第二导向面（210）； 所述进气孔（206）和排气口（207）均贯穿第二导向面（210）和气体置换组件（3）对应匹配； 所述炉腔（203）中段为反应区，且反应区底端设置有承载台（211）； 所述气体置换组件（3）包括设置于所述炉体（201）一端的环形管（301），且所述环形管（301）一侧设置有第二进气管（302）； 所述环形管（301）远离第二进气管（302）的一侧环形阵列开设有排气孔（303），且所述排气孔（303）和进气孔（206）相对应； 所述环形管（301）轴心处设置有排气管（304），且所述排气管（304）和环形管（301）连接的一端呈锥形设置； 所述进气孔（206）内部设置有封堵件（4），所述封堵件（4）包括活动设置于所述进气孔（206）中的封板（401），以及设置于所述封板（401）两端的限位杆（402）； 所述封板（401）上设置有第三导向面（403），且所述封板（401）一侧设置有挡板（404）； 所述限位杆（402）远离封板（401）的一端设置有挡块（405）； 所述进气孔（206）两端均开设有活动槽（212），且所述活动槽（212）和挡块（405）活动匹配； 所述活动槽（212）内设置有复位弹簧（406），且所述复位弹簧（406）套接于所述限位杆（402）一端。

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