上海芯钬量子科技有限公司夏宁获国家专利权
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龙图腾网获悉上海芯钬量子科技有限公司申请的专利一种半导体光显影演化确定方法、装置、设备及存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119414666B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411494152.1，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权一种半导体光显影演化确定方法、装置、设备及存储介质是由夏宁;盛阳;夏长生;杨猛;沈斯杰;曹雅婧;金粟华设计研发完成，并于2024-10-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种半导体光显影演化确定方法、装置、设备及存储介质在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，提供了一种半导体光显影演化确定方法、装置、设备及存储介质。本发明的方法包括：根据3D半导体器件结构的光刻胶区域和掩膜版区域的输入参数，确定仿真光显影的计算区域，并确定水平集方程初始值；基于输入参数确定光刻胶表面的演化速度；获取水平集方程的离散格式；基于水平集方程初始值及演化速度对水平集方程的离散格式进行求解，获取计算区域中的三维离散数据场；使用行进立方法提取达到仿真时间时的光显影表面区域。本发明通过引入水平集方程来仿真确定光显影到达仿真时间后的演化表面，解决了目前必须投入实际生产才能确定显影状况的问题，便于后续光刻工艺的开展。
本发明授权一种半导体光显影演化确定方法、装置、设备及存储介质在权利要求书中公布了：1.一种半导体光显影演化确定方法，其特征在于，包括： 根据3D半导体器件结构的光刻胶区域和掩膜版区域的输入参数，确定仿真光显影的计算区域，并确定水平集方程初始值； 基于所述输入参数确定光刻胶表面的演化速度； 获取水平集方程的离散格式； 基于所述水平集方程初始值及所述演化速度对所述水平集方程的离散格式进行求解，获取所述计算区域中的三维离散数据场； 使用行进立方法提取达到仿真时间时的光显影表面区域。
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