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龙图腾网获悉深圳捷多邦科技有限公司申请的专利一种高集成半孔台阶电路板的制作方法及半孔台阶电路板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119136448B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411603994.6，技术领域涉及：H05K3/46；该发明授权一种高集成半孔台阶电路板的制作方法及半孔台阶电路板是由王振兴;刘治华;刘晓平;龙娟娟设计研发完成，并于2024-11-12向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种高集成半孔台阶电路板的制作方法及半孔台阶电路板在说明书摘要公布了：本发明提供了一种高集成半孔台阶电路板的制作方法及半孔台阶电路板，属于电路板制作技术领域，解决了半孔台阶电路板生产效率低、产品性能质量差的问题。该方法包括：提供第一基板和第二基板；对第一基板进行第一预处理，得到待压合的第一基板；对第二基板进行第二预处理，得到待压合的第二基板；对待压合的第一基板和待压合的第二基板进行压合沉铜处理，得到压合沉铜后的基板；对压合沉铜后的基板进行电镀刻蚀处理，得到电镀刻蚀处理后的基板；对电镀刻蚀处理后的基板进行成型处理，得到高集成半孔台阶电路板。该方案通过先分层制作电路板，再进行压合和成型处理，实现了半孔台阶电路板的高效生产制作，提高了产品性能质量。

本发明授权一种高集成半孔台阶电路板的制作方法及半孔台阶电路板在权利要求书中公布了：1.一种高集成半孔台阶电路板的制作方法，其特征在于，包括： 提供第一基板和第二基板； 对所述第一基板进行第一预处理，得到待压合的第一基板； 对所述第二基板进行第二预处理，得到待压合的第二基板； 对所述待压合的第一基板和所述待压合的第二基板进行压合沉铜处理，得到压合沉铜后的基板； 对所述压合沉铜后的基板进行电镀刻蚀处理，得到电镀刻蚀处理后的基板； 对所述电镀刻蚀处理后的基板进行成型处理，得到高集成半孔台阶电路板； 其中，对所述第一基板进行第一预处理，得到待压合的第一基板，包括： 按第一预设切割参数，对所述第一基板进行切割处理，得到开料后的第一基板； 对所述开料后的第一基板进行钻孔处理，得到钻孔后的第一基板，其中，在车间环境为温度20±2℃，钻咀研磨次数最多5次的条件下进行钻孔； 对所述钻孔后的第一基板进行图形电镀处理，得到图形电镀后的第一基板，其中，先在第一基板上涂覆一层光刻胶，并通过曝光和显影形成所需的线路图案，再使用蚀刻剂将未受光刻胶保护的铜箔部分蚀刻掉，得到内层图形线路； 对所述图形电镀后的第一基板锣半孔处理，得到带有半孔的第一基板，其中，以进刀速为15±5mmin、走刀速为10±5mmin、转速为48000至51000rmin、车间环境为23±3℃、湿度为60±10%的条件下锣半孔； 对所述带有半孔的第一基板进行蚀刻棕化处理，得到蚀刻棕化后的第一基板； 对所述蚀刻棕化后的第一基板进行处理，得到待压合的第一基板； 其中，对所述蚀刻棕化后的第一基板进行处理，得到待压合的第一基板，包括： 对所述蚀刻棕化后的第一基板进行贴胶处理，得到贴胶后的第一基板； 对所述贴胶后的第一基板锣台阶槽，得到待压合的第一基板； 其中，对所述第二基板进行第二预处理，得到待压合的第二基板，包括： 按第二预设切割参数，对所述第二基板进行切割处理，得到开料后的第二基板； 对所述开料后的第二基板进行钻孔处理，得到钻孔后的第二基板，其中，在车间环境为温度20±2℃，钻咀研磨次数最多5次的条件下进行钻孔； 对所述钻孔后的第二基板进行沉铜板电处理，得到沉铜板电后的第二基板； 对所述沉铜板电后的第二基板进行塞孔处理，得到塞孔后的第二基板，其中，使用环氧树脂以刮刀速度为5±0.5mmin、抽真空压力为-99kPa的条件下进行塞孔处理； 对所述塞孔后的第二基板进行处理，得到待压合的第二基板； 其中，对所述待压合的第一基板和所述待压合的第二基板进行压合沉铜处理，得到压合沉铜后的基板，包括： 对所述待压合的第一基板和所述待压合的第二基板进行压合处理，得到压合后的基板； 对所述压合后的基板进行钻孔处理，得到钻孔后的基板； 对所述钻孔后的基板进行沉铜处理，得到压合沉铜后的基板； 其中，沉铜处理后的基板再进行闪电镀处理，通过闪电镀处理，在基板上加镀一层2~3um的镀铜层，用于增加沉铜后的铜层厚度，提高基板抗品质风险能力，闪电镀处理的物料包括硫酸铜和硫酸；基板经闪电镀处理后再进行微蚀处理，微蚀处理的物料包括工业硫酸和双氧水，微蚀速度为1.0±0.5mmin，微蚀温度为35±3℃；基板经微蚀处理后再进行褪膜处理，褪膜处理的物料包括氢氧化钠和硫酸；基板经褪膜处理后再进行外层图形线路处理。

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