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龙图腾网获悉天通控股股份有限公司;天通银厦新材料有限公司申请的专利一种泡生法生长大尺寸掺钛蓝宝石晶体的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119121383B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411621998.7，技术领域涉及：C30B17/00；该发明授权一种泡生法生长大尺寸掺钛蓝宝石晶体的方法是由康森;李璐;石天虎;鲁雅荣;郝文娟设计研发完成，并于2024-11-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种泡生法生长大尺寸掺钛蓝宝石晶体的方法在说明书摘要公布了：本发明属于晶体生长技术领域，具体涉及一种泡生法生长大尺寸掺钛蓝宝石晶体的方法，该方法包括原料制备与装填、升温熔料、调温引晶、晶体生长、晶体降温原位退火和晶片H2退火步骤。本发明采用高纯度石墨材料构建热场，减少热场污染，通过双加热体精确控制温度分布，形成稳定的温度梯度场；升温通入Ar和CO的混合气体作为保护气体，抑制炉内不良反应，维持熔液中Ti3+离子的稳定存在；泡生法晶体生长过程中，不与坩埚接触，减少应力集中，提高晶体均匀性，实现大尺寸、高品质、低缺陷掺钛蓝宝石晶体的高效生长方法，满足高端激光器和光学器件的制造需求。

本发明授权一种泡生法生长大尺寸掺钛蓝宝石晶体的方法在权利要求书中公布了：1.一种泡生法生长大尺寸掺钛蓝宝石晶体的方法，其特征在于，晶体生长用热场的保温结构由底保温板、环形保温筒和上保温板构成，采用石墨涂层的碳毡材料，所述碳毡材料的密度≥0.15gcm3，石墨涂层粗糙度≤0.1μm，涂层厚度≥2mm，加热结构由侧面主加热器和底部辅加热器构成，采用石墨材质，该晶体生长方法包括以下步骤： 1原料制备与装填：二氧化钛粉料与氧化铝粉料混合均匀，其中混入的二氧化钛质量百分比为0.2-0.6％，再经过焙烧制得掺钛氧化铝烧结锭，破碎处理后进行填料； 2升温熔料：通入Ar和CO的混合气体作为保护气体，其中CO体积分数为4.5％-7.0％，其余为Ar，升温使原料熔化； 3调温引晶：原料全熔后，等待温度继续升高，直至比原料全熔温度高出10-18℃，此时熔液过热出现强对流，再降低加热功率，使熔液液面温度为2048-2053℃，下降籽晶与液面接触熔蚀，开始结晶生长； 4晶体生长：控制晶体生长速度为0.2-0.5mmh，待晶体生长至所需尺寸后，将其从熔体中提拉出来； 5晶体降温原位退火：增大混合气体中的CO浓度，增加炉内的还原气氛，能有效抑制Ti3 +离子被氧化为Ti4+离子，提高晶体均匀性，其中CO体积分数为9.5-14.5％，同时进行降温退火处理，炉内温度降到室温后取出晶体，晶体直径为300-350mm，高度为350-450mm，重量为100-145kg； 6晶片H2退火：对切割后的晶片进行高温H2退火。

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