山西大学;辽宁材料实验室董宝娟获国家专利权
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龙图腾网获悉山西大学;辽宁材料实验室申请的专利一种基于层间弱耦合器件的量子磁标及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119556204B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411646880.X，技术领域涉及：G01R33/00；该发明授权一种基于层间弱耦合器件的量子磁标及其制备方法是由董宝娟;赵凯;韩拯;张靖;王汉文;赵建亭设计研发完成，并于2024-11-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于层间弱耦合器件的量子磁标及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明属于量子物理与量子测量技术领域，具体涉及一种基于层间弱耦合器件的量子磁标及其制备方法。为实现高精度的低温强磁场环境下的磁场强度标定，在低温比如：T＝5K及以下温度和强垂直方向磁场强度B＝5T及以上磁场强度条件下，利用大角度转角石墨烯体系中纵向电阻的量子化朗道能级交叉形成的量子化的棋盘格中层间位移电场差值与磁场强度比值的量子化现象，建立磁场与层间位移电场差值的线性标度关系δDB＝e2h，实现磁场强度B的标定。
本发明授权一种基于层间弱耦合器件的量子磁标及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种层间弱耦合器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤1，在衬底（8）上制备底部栅极（7）和底部封装层（6）； 步骤2，将大角度层间转角层（5）和顶部封装层（4）转移至底部封装层（6）上，形成异质结构； 步骤3，将异质结构图形化成霍尔条形状后，在异质结上制备接触电极（3）； 步骤4，依次在顶部制备顶部封装层（4）与顶部栅极（1），至此制得层间弱耦合器件； 所述层间弱耦合器件包括从下至上依次设置的衬底（8）、底部栅极（7）、底部封装层（6）、大角度层间转角层（5）和顶部封装层（4），在所述顶部封装层（4）两侧设置有多个接触电极（3），与所述大角度层间转角层（5）形成欧姆接触，在所述顶部封装层（4）上依次设置有绝缘电介质层（2）和顶部栅极（1）；所述大角度层间转角层（5）使用两层二维层状石墨烯，两层二维层状石墨烯间通过范德华相互作用实现大角度的转角。
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