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龙图腾网获悉联合微电子中心有限责任公司申请的专利用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119247696B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411668307.9，技术领域涉及：G03F7/00；该发明授权用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法是由陈妍如;赵建国设计研发完成，并于2024-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法，将整个版面划分为多个局部区域，并评估局部区域的图形占空比和图形线宽特征，同时，以压印工艺因子和压印材料流动性系数修正辅助图形的特征尺寸。与光刻修正辅助图形的底层逻辑有所差别，本发明将压印工艺特性纳入考量，基于版图特征和压印特性的填充规则，通过增加辅助图形以修正整个版图的占空比和布局，从而提升压印抗蚀剂的填充均匀性和提升压印底膜均匀性。

本发明授权用于纳米压印光刻的压印掩膜版及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种用于纳米压印光刻的压印掩膜版的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括： 1提供用于生产压印模板的压印版图，所述压印版图包括原始设计图形，所述原始设计图形包含有效图形； 2提取所述原始设计图形的有效图形特征，按照所述有效图形特征的图形种类定义图形宽度，依据图形种类和图形宽度将所述原始设计图形划分为多个局部区域； 3对所述局部区域进行网格划分，并计算局部区域中有效图形的平均线宽，依据有效图形占用网格数量计算局部区域中有效图形的占空比； 4依据所述有效图形平均线宽以及压印材料的粘度系数，定义各局部区域的辅助图形特征尺寸； 5依据局部区域的占空比及辅助图形特征尺寸在局部区域中设置辅助图形，同一局部区域中的辅助图形的形状和尺寸相同，所述辅助图形置于局域区域的空白区域的各网格中心； 6依据设置辅助图形后的压印版图，制备压印掩模版； 所述有效图形的占空比定义为：将一局部区域划分为n个网格nN，含有效图形的网格占所在局部区域的网格数量为x，不含有效图形的网格为空白网格，则第N个区域的局域占空比为θN＝xNN； 定义各局部区域的辅助图形特征尺寸包括： 依据压印工艺条件，将所用压印材料的粘度系数等效为流动性系数，定义η0为压印工艺因子：η0＝P0×t0，其中，P0为施加在压印模板上的压强，t0为该压强的持续作用时间，则压印材料流动性系数为α＝ηη0，其中，η所用压印材料的粘度系数； 定义所述局部区域的辅助图形特征尺寸为：aN＝wN×α，其中，wN为第N个局部区域中有效图形的平均线宽值。

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