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龙图腾网获悉杭州芯聚半导体有限公司申请的专利一种蓝宝石衬底与硅衬底热压键合涨缩问题的改善方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119812021B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411953654.6，技术领域涉及：H01L21/603；该发明授权一种蓝宝石衬底与硅衬底热压键合涨缩问题的改善方法是由张庆;李庆;张宇设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种蓝宝石衬底与硅衬底热压键合涨缩问题的改善方法在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体材料加工技术领域，公开了一种蓝宝石衬底与硅衬底热压键合涨缩问题的改善方法，包括以下步骤：S1、清洗除尘：利用有机清洗台先将蓝宝石基板用溶液进行浸泡，S2、掺杂：通过利用高能离子注入机进行深度掺杂，S3、退火：利用RTP快速退火炉进行退火消除注入引入的缺陷及应力，根据注入深度不同，此时的Al2O3的CTE可以用PCY系列热膨胀系数测定仪进行测试，S4、键合：利用热压键合设备对Al2O3衬底上基板的Chip与Si衬底下基板的电路金属进行金属键合。通过将原本蓝宝石衬底与硅衬底异质材料键合涨缩程度较大问题得到改善，使二者涨缩距离近似一致，快速退火后经过离子注入的蓝宝石材料表层晶格缺陷得到修复且可以减少材料内部应力。

本发明授权一种蓝宝石衬底与硅衬底热压键合涨缩问题的改善方法在权利要求书中公布了：1.一种蓝宝石衬底与硅衬底热压键合涨缩问题的改善方法，其特征在于，包括以下步骤： S1、清洗除尘：利用有机清洗台先将蓝宝石基板用溶液进行浸泡，浸泡用于清洗蓝宝石基板去除表面脏污及金属离子； S2、掺杂：通过利用高能离子注入机进行深度掺杂，先将蓝宝石基板置于真空环境下室内基座上，蓝宝石基板温度处于常温条件下，然后通过离子源进行注入，并通过离子源进行加热，使离子源处于离子态并通过加速器进行加速，达到材料的损伤临界剂量； S3、退火：利用RTP快速退火炉进行退火消除注入引入的缺陷及应力，蓝宝石基板清洁后放入腔体内部进行升温，而后充分降至室温后取出衬底材料； S4、键合：利用热压键合设备对蓝宝石基板上的Chip晶片与硅衬底基板上的电路进行金属键合；具体的，蓝宝石基板与Chip晶片进行键合得到上基片，将上基片放置在相应上载台位置，带有电路的硅衬底基板放置在下基板载台上，将焊头升温，然后进行键合，得到成品； S2中、所述离子源加热的温度为1000℃以上，所述加速器的能量范围为介于1.0M±5%eV，所述离子源注入材料包括Y3+、Cd2+或Mg2+，注入剂量按照1E13±5%ionscm²进行注入，注入时间为3H以上，所述材料的损伤临界剂量为严重晶格损伤前的注入剂量阈值，注入深度大于1μm。

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