买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119654063B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510144600.3，技术领域涉及：H10N97/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由刘洋;李婷;周文鑫;赵西连;韩小虎设计研发完成，并于2025-02-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构，包括：提供衬底；于衬底上形成第一金属结构和第一层间介质层；其中，第一金属结构包括第一极板、第一引出线和第二引出线，第一极板、第一引出线第二引出线形成了第一凹槽；第一层间介质层填满第一凹槽；去除部分第一层间介质层，暴露出第一引出线的侧壁和第二引出线的侧壁；于暴露出的第一引出线的侧壁、第二引出线的侧壁、以及第一层间介质层远离第一极板的一侧，形成第二层间介质层；于第二层间介质层远离第一凹槽的一侧，形成第二金属结构和第三层间介质层；其中，第二金属结构包括第二极板、第三引出线、第四引出线。采用本申请的制备方法可以降低MIM电容的制备难度。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成第一金属结构和第一层间介质层；其中，所述第一金属结构包括第一极板、第一引出线和第二引出线，所述第一极板的第一端与所述第一引出线接触，所述第一极板的第二端与所述第二引出线接触以形成第一凹槽；所述第一层间介质层填满所述第一凹槽； 去除部分所述第一层间介质层，暴露出所述第一引出线的侧壁和所述第二引出线的侧壁； 于暴露出的所述第一引出线的侧壁、所述第二引出线的侧壁、以及所述第一层间介质层远离所述第一极板的一侧，形成第二层间介质层；在由所述衬底指向所述第二层间介质层的方向上，位于所述第一引出线侧壁的第二层间介质层和位于所述第二引出线侧壁的第二层间介质层与所述第一引出线齐平，位于所述第一层间介质层表面的第二层间介质层的顶面高度低于所述第一引出线的顶面高度； 于所述第二层间介质层远离所述第一凹槽的一侧，形成第二金属结构和第三层间介质层；其中，所述第二金属结构包括第二极板、第三引出线、第四引出线，所述第二极板的第一端与所述第三引出线接触，所述第二极板的第二端与所述第四引出线接触，以形成第二凹槽，所述第三层间介质层填满所述第二凹槽。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。