深圳大学丛湘娜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉深圳大学申请的专利隧穿场效应管、其制备方法及光电探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653931B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510169811.2，技术领域涉及：H10F77/50；该发明授权隧穿场效应管、其制备方法及光电探测器是由丛湘娜;何文龙设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本隧穿场效应管、其制备方法及光电探测器在说明书摘要公布了：本发明提出一种隧穿场效应管、其制备方法及光电探测器，涉及光电器件领域，隧穿场效应管包括衬底以及依次层叠于衬底一侧的绝缘层、导电层、介电层、异质结层和封装层；异质结层包括第一半导体层和第二半导体层，第一半导体层叠设在介电层上，第二半导体层至少部分叠设在第一半导体层上，第二半导体层的其他部分叠设在介电层上；第一半导体层包括二硫化锡层，第二半导体层包括二硫化铪层，封装层包括氧化铪层。本发明采用等离子体氧化技术对具有超高载流子特性的二硫化铪进行封装处理，形成了高介电常数的氧化铪介电层，保证了高质量的界面，进而实现了场效应晶体管的隧穿特性，为未来最终实现高性能纳米材料的低功耗隧穿器件奠定了基础。
本发明授权隧穿场效应管、其制备方法及光电探测器在权利要求书中公布了：1.一种隧穿场效应管，其特征在于，包括衬底以及依次层叠于所述衬底一侧的绝缘层、导电层、介电层、异质结层和封装层； 所述异质结层包括第一半导体层和第二半导体层，所述第一半导体层包括二硫化锡层，所述第二半导体层包括二硫化铪层，所述封装层包括氧化铪层； 其中，所述氧化铪层由所述二硫化铪层通过等离子体氧化得到。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳大学，其通讯地址为：518000 广东省深圳市南山区粤海街道南海大道3688号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号