上海维安半导体有限公司罗皓天获国家专利权
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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种不对称击穿的双向可控硅静电防护结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653869B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510168140.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权一种不对称击穿的双向可控硅静电防护结构是由罗皓天;赵德益;蒋骞苑;郝壮壮;吕海凤设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种不对称击穿的双向可控硅静电防护结构在说明书摘要公布了：本发明提供一种不对称击穿的双向可控硅静电防护结构，涉及半导体技术领域，包括：由下至上依次设置的衬底、第一埋层和外延层，所述外延层上形成有左右分布且相互之间具有间距的第一P阱和高压N阱，所述高压N阱内形成有第二P阱，所述第一P阱和所述第二P阱内均形成有PNP结构。有益效果是通过在外延层上形成左右分布且相互之间具有间距的第一P阱和高压N阱，且在高压N阱内形成第二P阱，使得本发明的双向可控硅静电保护结构能够表现不对称的触发电压。
本发明授权一种不对称击穿的双向可控硅静电防护结构在权利要求书中公布了：1.一种不对称击穿的双向可控硅静电防护结构，其特征在于，包括由下至上依次设置的衬底、第一埋层和外延层，所述外延层上形成有左右分布且相互之间具有间距的第一P阱和高压N阱，所述高压N阱内形成有第二P阱，所述第一P阱和所述第二P阱内均形成有PNP结构； 所述高压N阱的两侧分别设有N阱，所述第一P阱的掺杂浓度低于所述第二P阱的掺杂浓度，所述第一P阱的结深大于所述第二P阱的结深。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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