买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119653825B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510170528.1，技术领域涉及：H10D30/65；该发明授权半导体结构及其制备方法是由朱敏;王梦慧设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种半导体结构及其制备方法，包括：衬底；第一掺杂类型的漂移区，位于衬底内；场介质层结构，包括第二介质层以及第一介质层；第二介质层位于漂移区远离衬底的一侧表面；第一介质层包括多个第一介质部，多个第一介质部沿第一方向插置于第二介质层内；其中，第一方向垂直于衬底指向场介质层结构的方向；多个第二掺杂类型的顶区，沿第一方向间隔设置在漂移区内，顶区与第一介质部对应设置；第一掺杂类型与第二掺杂类型相反。第一介质部插置在第二介质层内，可降低第二介质层尖角处的电场强度，降低表面电场。顶区和漂移区构成了多重RESURF结构，可以改善器件表面电场分布，促进漂移区内载流子的注入，降低了导通电阻。

本发明授权半导体结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 第一掺杂类型的漂移区，位于所述衬底内； 场介质层结构，包括第一介质层以及第二介质层；所述第二介质层位于所述漂移区远离所述衬底的一侧表面；所述第一介质层包括多个第一介质部，所述多个第一介质部沿第一方向插置于所述第二介质层内；其中，所述第一方向垂直于所述衬底指向所述场介质层结构的方向；所述第一介质层的介电常数高于所述第二介质层的介电常数； 多个第二掺杂类型的顶区，沿第一方向间隔设置在所述漂移区内，所述顶区与所述第一介质部对应设置，所述顶区在所述衬底上的投影与所述第一介质部在所述衬底上的投影重合；所述第一掺杂类型与所述第二掺杂类型相反； 体区，位于所述衬底内，所述体区与所述漂移区沿第二方向排布，所述第二方向与所述第一方向相同，或者，所述第二方向垂直于所述第一方向且垂直于所述衬底指向所述场介质层结构的方向； 源极，位于所述体区内； 漏极，位于所述漂移区内，且位于所述场介质层结构的远离所述体区的一侧； 栅极，位于所述衬底靠近所述漂移区的一侧表面上，覆盖部分所述体区、部分所述第二介质层和部分所述第一介质部，剩余的所述第二介质层和剩余的所述第一介质部未被所述栅极覆盖。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：230012 安徽省合肥市新站区合肥综合保税区内西淝河路88号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。