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龙图腾网获悉物元半导体技术(青岛)有限公司申请的专利一种改善3D晶圆堆叠效能的方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119650517B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510168021.2，技术领域涉及：H01L21/768；该发明授权一种改善3D晶圆堆叠效能的方法及半导体结构是由颜天才;杨列勇设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种改善3D晶圆堆叠效能的方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明属于半导体加工技术领域，具体涉及一种改善3D晶圆堆叠效能的方法及半导体结构。在晶圆氧化物层内设置有金属互连结构，由键合面侧在所述氧化物层开设通孔，通孔连通所述金属互连结构并填充导体层；一晶圆与另一晶圆的键合面相对，两晶圆的导体层连通；在任一晶圆底面向金属互连结构的方向开TSV通孔，TSV通孔连通所述金属互连结构；在所述TSV通孔内沉积氧化沉积层，氧化沉积层覆盖所述TSV通孔侧壁及TSV通孔孔底；向TSV通孔侧壁的氧化沉积层内注入离子；执行光刻步骤，去除TSV通孔孔底的氧化沉积层，暴露TSV通孔底部的金属互连结构；向TSV通孔内沉积TSV通孔导体层，TSV通孔导体层连通所述金属互连结构。

本发明授权一种改善3D晶圆堆叠效能的方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种改善3D晶圆堆叠效能的方法，其特征在于，包括： 提供晶圆，所述晶圆包括基底层和氧化物层，所述氧化物层一侧为键合面，所述基底层一侧为底面；在所述氧化物层内设置有金属互连结构，由键合面侧在所述氧化物层开设通孔，所述通孔连通所述金属互连结构并填充导体层； 一晶圆与另一晶圆的键合面相对，两晶圆的导体层连通； 在任一晶圆底面向金属互连结构的方向开TSV通孔，所述TSV通孔连通所述金属互连结构； 在所述TSV通孔内沉积氧化沉积层，所述氧化沉积层覆盖所述TSV通孔侧壁及TSV通孔孔底； 沉积光刻胶层，所述光刻胶层覆盖所述TSV通孔孔底的氧化沉积层，且TSV通孔侧壁的氧化沉积层仍处于暴露状态；向TSV通孔侧壁的氧化沉积层内注入离子； 执行光刻步骤，部分去除TSV通孔孔底的氧化沉积层，暴露TSV通孔底部的金属互连结构，使氧化沉积层覆盖TSV通孔的侧壁以及与TSV通孔的侧壁邻接的部分底部区域； 向所述TSV通孔内沉积TSV通孔导体层，所述TSV通孔导体层连通所述金属互连结构。

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