合肥晶合集成电路股份有限公司夏源政获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利像素传感器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119698092B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510201025.6，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权像素传感器及其制备方法是由夏源政;江道;林豫立;李鑫设计研发完成，并于2025-02-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本像素传感器及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请涉及一种像素传感器及像素单元制备方法、电子设备，方法包括：提供衬底，衬底包括沿平行于衬底顶面的第一方向顺序依次排列的埋入式隔离结构、第一区域及第二区域；第一区域内衬底顶面包括栅极结构；形成覆盖衬底裸露顶面及栅极结构的外表面的具有第一厚度的第一掩膜层；第一厚度关联于像素传感器的工作电压幅值；于第二区域内衬底形成像素掺杂区；像素掺杂区与栅极结构的水平间距关联于第一厚度；去除部分第一掩膜层，保留于衬底顶面的第一掩膜层具有第二厚度；形成覆盖第一掩膜层以及栅极结构外表面的第二掩膜层。通过改变第一掩膜层的厚度来调节像素掺杂区到沟道的距离，实现更好的GIDL性能，并尽可能减少过程中产生的缺陷带来影响。
本发明授权像素传感器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种像素单元制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底，所述衬底包括沿平行于所述衬底顶面的第一方向依次排列的埋入式隔离结构、第一区域及第二区域；所述第一区域内的衬底顶面包括栅极结构； 形成覆盖所述衬底裸露顶面及所述栅极结构的外表面的具有第一厚度的第一掩膜层；所述第一厚度关联于像素传感器的工作电压幅值； 对所述第二区域内衬底执行离子注入工艺，形成像素掺杂区；所述像素掺杂区与所述栅极结构的水平间距关联于所述第一厚度； 去除部分所述第一掩膜层，以暴露出所述栅极结构的外表面，保留于所述衬底顶面的第一掩膜层具有第二厚度； 形成覆盖所述第一掩膜层以及所述栅极结构外表面的第二掩膜层； 其中，所述衬底还包括预设类型器件区域，在形成所述第二掩膜层后： 以剩余的所述第一掩膜层、所述第二掩膜层为掩膜版，于所述预设类型器件区域内执行自对准金属硅化物工艺。
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