上海维安半导体有限公司单少杰获国家专利权
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龙图腾网获悉上海维安半导体有限公司申请的专利一种少子增强型微触发可控硅器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119743968B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510238351.4，技术领域涉及：H10D18/00；该发明授权一种少子增强型微触发可控硅器件是由单少杰;苏海伟;叶毓明;胡春永;刘岸;范文来;张伟;余震杰设计研发完成，并于2025-03-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种少子增强型微触发可控硅器件在说明书摘要公布了：本发明涉及可控硅器件技术领域，具体涉及一种少子增强型微触发可控硅器件，包括：正面基区具有第一掺杂类型；正面基区中形成有具有第二掺杂类型的埋层；埋层与上下两侧的正面基区形成三极管放大结构，并在器件导通时对埋层下方的正面基区进行少子增强。针对现有技术中的微触发可控硅器件性能不稳定的问题，本方案中在正面基区中通过埋层引入了三极管放大结构，由于埋层距离发射区的区域固定且掺杂浓度固定，因此在微电流下同样能够实现稳定的触发控制精度。且埋层下方的正面基区中的少数载流子，会因为上方的基于埋层的放大结构产生倍增效应，可以有效减少触发电流。在器件触发后，电导调制效应的加强可以有效降低导通后等效电阻。
本发明授权一种少子增强型微触发可控硅器件在权利要求书中公布了：1.一种少子增强型微触发可控硅器件，其特征在于，包括： 具有第二掺杂类型的衬底； 正面基区，形成于所述衬底的上方； 所述正面基区具有第一掺杂类型； 所述正面基区中形成有具有第二掺杂类型的埋层； 正面发射区，所述正面发射区具有第二掺杂类型； 所述正面发射区部分形成于所述正面基区的上表面中，位于所述埋层的上方； 所述正面发射区与所述埋层之间通过所述正面基区进行间隔； 所述正面发射区部分覆盖所述正面基区的上表面，以使得所述正面基区的部分位置暴露； 所述埋层与上下两侧的所述正面基区形成三极管放大结构使得所述正面基区和所述正面发射区的电流通路经过； 所述正面基区的电流通路输入所述三极管放大结构的基极； 在器件导通时经由所述三极管放大结构对所述埋层下方的所述正面基区进行少子增强。
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