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龙图腾网获悉合肥欧益睿芯科技有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119768033B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510249998.7，技术领域涉及：H10N39/00；该发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备是由王菲;卫路兵;刘新雷;郭琦设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体器件技术领域，为解决半导体器件应用场景有限的问题，提出一种半导体器件及其制造方法、电子设备，方法包括：完成GaAsMMIC有源器件的源漏极欧姆和栅极金属制作和形成钝化保护层；定义滤波器区域，叠层沉积MoAlNScMo的多层金属结构；在滤波器区域，采用光刻和刻蚀工艺形成底电极、压电层和上电极，形成BAW结构；沉积介质隔离层；进行正面的一次金属布线，形成钝化保护层；完成背面工艺。本发明可以实现GaAsMMIC射频电路和基于AlN材料的BAW结构滤波器的异质单片集成，从而可以在单片电路上实现对于信号的放大和滤波调理，为高性能的半导体器件提供了高集成度的工艺解决方案。

本发明授权半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括以下步骤： 完成GaAsMMIC有源器件的源漏极欧姆金属和栅极金属制作和形成钝化保护层，得到第一半成品； 在所述第一半成品上定义滤波器区域，叠层沉积MoAlNScMo的多层金属结构，得到第二半成品，其中，在所述滤波器区域刻蚀的钝化保护层停止在GaAs外延层上，AlNSc为掺杂Sc的AlN； 在滤波器区域，采用光刻和刻蚀工艺形成底电极、压电层和上电极，形成BAW结构； 沉积介质隔离层，覆盖整个晶圆正面区域，得到第三半成品； 进行所述第三半成品正面的一次金属布线，形成钝化保护层，得到第四半成品； 完成所述第四半成品背面工艺，形成集合GaAsMMIC和AlNScBAW滤波器的半导体器件； 采用光刻和刻蚀工艺形成底电极、压电层和上顶极，形成BAW结构，包括：采用光刻胶保护住滤波器区域中的第一区域，采用光刻和刻蚀形成BAW结构的上电极和压电层部分；采用光刻胶保护住滤波器区域中的第二区域，用光刻和刻蚀形成BAW结构的底电极，其中，所述第一区域包括在所述第二区域中；剥离所述光刻胶，形成所述BAW结构。

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