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龙图腾网获悉珠海市捷英达电子有限公司申请的专利二氧化硅晶片激光加工动态温控方法、系统、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119781552B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510265801.9，技术领域涉及：G05D23/30；该发明授权二氧化硅晶片激光加工动态温控方法、系统、设备及介质是由刘玮雄;方海波设计研发完成，并于2025-03-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本二氧化硅晶片激光加工动态温控方法、系统、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了二氧化硅晶片激光加工动态温控方法、系统、设备及介质，涉及晶片激光加工相关技术领域，该方法包括：获得晶片表面温度分布图像序列；获得温度变化速率分布图像序列；获得温度分析样本点分布拓扑网；确定样本点温度变化速率拓扑网序列；确定目标关联样本点温度变化速率拓扑网；确定目标关联样本点温度变化速率集中值；确定目标温控参数；根据目标温控参数对目标晶片进行激光加工过程中的温控动态优化。解决了现有技术中存在的由于温度分布不均、温控手段反应滞后，导致加工控制精度不足、晶片损伤及无法实时响应晶片加工温度动态变化的技术问题，达到了提高控制精度及加工可控性和可靠性的技术效果。

本发明授权二氧化硅晶片激光加工动态温控方法、系统、设备及介质在权利要求书中公布了：1.二氧化硅晶片激光加工动态温控方法，其特征在于，所述方法包括： 利用高帧率热成像设备对目标晶片在预设激光加工窗口内的晶片表面温度分布进行图像采集，获得晶片表面温度分布图像序列； 对所述晶片表面温度分布图像序列进行相邻温度差分计算，获得温度变化速率分布图像序列； 根据所述目标晶片的晶片面积大小进行温度分析样本点均衡提取，获得温度分析样本点分布拓扑网，其中，每个温度分析样本点包括一个样本点位置； 以所述温度分析样本点分布拓扑网中每个温度分析样本点的样本点位置为索引，对所述温度变化速率分布图像序列进行检索，确定样本点温度变化速率拓扑网序列； 按照时间从前到后的顺序对所述样本点温度变化速率拓扑网序列依次进行迭代映射关联分析，确定目标关联样本点温度变化速率拓扑网； 对所述目标关联样本点温度变化速率拓扑网进行目标关联样本点温度变化速率集中分析，确定目标关联样本点温度变化速率集中值； 获取所述目标晶片在所述预设激光加工窗口内的温控参数集合，基于所述目标关联样本点温度变化速率集中值对所述温控参数集合进行优化，确定目标温控参数； 根据所述目标温控参数对所述目标晶片进行激光加工过程中的温控动态优化。

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