恭喜汉轩微电子制造(江苏)有限公司陈煜获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网恭喜汉轩微电子制造(江苏)有限公司申请的专利一种深沟槽刻蚀方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993834B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-27发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510458074.8，技术领域涉及：H01L21/3065；该发明授权一种深沟槽刻蚀方法是由陈煜;朱焱均;王尧林;燕强设计研发完成，并于2025-04-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种深沟槽刻蚀方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种深沟槽刻蚀方法，属于半导体技术领域，该深沟槽刻蚀方法，包括以下步骤：提供衬底，在衬底上覆盖掩膜层；刻蚀掩膜层，形成至少两个第一开口，第一开口之间具有间隔；沿第一开口向衬底进行离子注入，形成具有一定高度的第一离子注入区；去除第一开口之间的掩膜层；向第一离子注入区之间的区域进行离子注入，形成第二离子注入区；对第一离子注入区和第二离子注入区进行处理，以形成与衬底材质不同的隔离层；去除隔离层中的衬底以及隔离层，形成所需沟槽。通过形成与衬底材质不同的隔离层，依次去除隔离层内的衬底、隔离层，从而形成具有良好形貌的高深宽比沟槽，防止各向同性刻蚀过程中出现侧蚀现象以及底部微沟槽。
本发明授权一种深沟槽刻蚀方法在权利要求书中公布了：1.一种深沟槽刻蚀方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，在所述衬底上覆盖掩膜层； 刻蚀所述掩膜层，形成至少两个第一开口，所述第一开口之间具有间隔； 沿所述第一开口向所述衬底进行离子注入，形成第一离子注入区； 去除所述第一开口之间的掩膜层； 向所述第一离子注入区之间的区域进行离子注入，形成第二离子注入区； 对所述第一离子注入区和第二离子注入区进行处理，以形成与所述衬底材质不同的隔离层； 湿法刻蚀去除所述隔离层中的衬底以及所述隔离层，形成所需沟槽； 其中，所述第一离子注入区和第二离子注入区相连，形成与沟槽尺寸相匹配的凹型结构。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人汉轩微电子制造(江苏)有限公司，其通讯地址为：221116 江苏省徐州市高新技术产业开发区康宁路1号高科金汇大厦A座1401室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号