恭喜台湾积体电路制造股份有限公司江欣哲获国家专利权
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龙图腾网恭喜台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110610903B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910043132.5，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权半导体装置及其制造方法是由江欣哲;黄如立;梁春昇;叶震亚设计研发完成，并于2019-01-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开实施例提供一种半导体装置的制造方法，包括：形成第一和第二氮化硅部件于一接触孔的侧壁表面上，所述接触孔设置于一介电层中和一源极漏极SD部件上方。此方法还包括形成一接触插塞于接触孔中，所述接触插塞与源极漏极部件电耦合，移除接触插塞的一顶部以在接触孔中创造一凹部，形成一硬罩幕层于凹部中，以及通过选择性蚀刻移除第一和第二氮化硅部件以分别形成第一和第二气隙。本公开还提供了一种半导体装置。
本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置的制造方法，包括： 形成一第一氮化硅部件和一第二氮化硅部件于一接触孔的侧壁表面上，该接触孔设置于一介电层中和一源极漏极部件上方； 形成一接触插塞于该接触孔中，该接触插塞与该源极漏极部件电耦合； 移除该接触插塞的一顶部以在该接触孔中创造一凹部； 形成一硬罩幕层于该凹部中；以及 通过选择性蚀刻移除该第一氮化硅部件和该第二氮化硅部件以分别形成一第一气隙和一第二气隙。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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