恭喜国立大学法人北海道大学富冈克广获国家专利权
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龙图腾网恭喜国立大学法人北海道大学申请的专利互补式开关元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113474889B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201980092971.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权互补式开关元件是由富冈克广设计研发完成，并于2019-12-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本互补式开关元件在说明书摘要公布了：本发明的互补式开关元件具有具备第一导电型的沟道的第一TFET和具备第二导电型的沟道的第二TFET。第一TFET及第二TFET各自具有：掺杂为第一导电型的IV族半导体基板；配置于IV族半导体基板上的由III‑V族化合物半导体构成的纳米线；与IV族半导体基板连接的第一电极；与纳米线连接的第二电极；以及向IV族半导体基板与纳米线之间的界面施加电场的栅极电极。纳米线包含与IV族半导体基板连接的第一区域和掺杂为第二导电型的第二区域。第一TFET中，第二电极为源极电极，且第一电极为漏极电极。第二TFET中，第一电极为源极电极，且第二电极为漏极电极。
本发明授权互补式开关元件在权利要求书中公布了：1.一种互补式开关元件，其具有具备第一导电型的沟道的第一隧道场效应晶体管、以及具备与所述第一导电型不同的第二导电型的沟道的第二隧道场效应晶体管，所述互补式开关元件中， 所述第一隧道场效应晶体管及所述第二隧道场效应晶体管各自具有： IV族半导体基板，其具有111面，且掺杂为所述第一导电型； III-V族化合物半导体纳米线，其配置于所述111面上，且包含与所述111面连接的第一区域和掺杂为所述第二导电型的第二区域； 第一电极，其与所述IV族半导体基板连接； 第二电极，其与所述第二区域连接；以及 栅极电极，其向所述111面与所述第一区域之间的界面施加电场， 在所述第一隧道场效应晶体管中，所述第二电极为源极电极且所述第一电极为漏极电极， 在所述第二隧道场效应晶体管中，所述第一电极为源极电极且所述第二电极为漏极电极。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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