恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司周飞获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及半导体结构的形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113540240B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010311744.0，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法是由周飞设计研发完成，并于2020-04-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及半导体结构的形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及半导体结构的形成方法，结构包括：衬底；位于衬底上的栅极结构；位于衬底上的介质结构，所述介质结构覆盖所述栅极结构；位于介质结构内的第一导电插塞，所述第一导电插塞位于所述栅极结构一侧或两侧；位于介质结构内的开口，所述开口暴露出所述栅极结构；位于开口顶部的第一介质层，所述第一介质层将所述开口封闭。所述半导体结构的性能得到了提升。
本发明授权半导体结构及半导体结构的形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 衬底； 位于衬底上的栅极结构； 位于衬底上的介质结构，所述介质结构覆盖所述栅极结构，所述介质结构包括第二介质层和位于第二介质层上的第三介质层； 位于介质结构内的第一导电插塞，所述第一导电插塞位于所述栅极结构一侧或两侧； 位于介质结构内的开口，所述开口暴露出所述栅极结构，所述开口包括第一开口和第二开口，所述第一开口位于所述第一导电插塞和所述栅极结构之间，所述第二开口位于所述第三介质层内，所述第二开口暴露出部分所述栅极结构顶部表面； 位于第二开口顶部以及位于第一开口顶部的第一介质层，所述第一介质层将所述第一开口封闭成第一密闭腔，所述第一介质层将所述第二开口封闭成第二密闭腔。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
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