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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利静电放电保护结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114171513B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010949713.8，技术领域涉及：H10D89/60；该发明授权静电放电保护结构及其形成方法是由张茂添;陈芳;张莉菲设计研发完成，并于2020-09-10向国家知识产权局提交的专利申请。

本静电放电保护结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种静电放电保护结构及其形成方法，包括：衬底，衬底包括第一区和若干第二区；位于第一区内的第一阱区，第一阱区内具有第一掺杂离子；位于第二区内的第二阱区，第二阱区内具有第二掺杂离子；位于第一区上的若干第一栅极结构；位于第二区上的第二栅极结构；位于相邻第一栅结构之间衬底内的第一掺杂层；分别位于第二栅极结构两侧衬底内的第二掺杂层和第三掺杂层。由于第二掺杂离子与第一掺杂离子的电学类型不同，使得第一阱区和第二阱区的交界处形成一个反偏结。由于第一栅极结构与反偏结通过第一阱区串接，使得第一栅极结构和反偏结形成的支路的电阻值增大，因此降低第一栅极结构被击穿的风险，以此提升最终形成的半导体结构的性能。

本发明授权静电放电保护结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种静电放电保护结构，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底包括沿第一方向排布的第一区和若干第二区，所述第一区位于相邻的所述第二区之间； 位于所述第一区内的第一阱区，所述第一阱区内具有第一掺杂离子； 位于所述第二区内的第二阱区，所述第二阱区内具有第二掺杂离子，所述第二掺杂离子与所述第一掺杂离子的导电类型不同； 位于所述第一区上的若干第一栅极结构； 位于所述第二区上的第二栅极结构； 位于相邻所述第一栅极结构之间衬底内的第一掺杂层，所述第一掺杂层内具有所述第一掺杂离子，所述第一掺杂层还位于所述第一阱区内； 分别位于所述第二栅极结构两侧衬底内的第二掺杂层和第三掺杂层，所述第二掺杂层和所述第三掺杂层内具有所述第一掺杂离子，所述第二掺杂层和所述第三掺杂层分别位于所述第二阱区内，且所述第二掺杂层还与所述第一阱区接触。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司，其通讯地址为：201203 上海市浦东新区张江路18号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。