恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司韩秋华获国家专利权
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龙图腾网恭喜中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司申请的专利半导体结构及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188318B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010962082.3，技术领域涉及：H10D84/83；该发明授权半导体结构及其形成方法是由韩秋华设计研发完成，并于2020-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体结构及其形成方法在说明书摘要公布了：一种半导体结构及其形成方法，其中半导体结构包括：基底，基底上具有层间介质层；栅极结构，位于基底上；源漏掺杂层，位于栅极结构两侧的基底内；第一开口，位于层间介质层内，第一开口暴露出栅极结构的顶部；第一内侧墙，位于第一开口侧壁上，第一内侧墙之间具有第一空隙；第二开口，位于层间介质层内，第二开口暴露出源漏掺杂层的顶部；导电层，位于第二开口内，且导电层的顶部表面低于层间介质层的顶部表面；第二内侧墙，位于导电层暴露出的第二开口的侧壁上，第二内侧墙之间具有第二空隙。本发明实施例提供的半导体结构，避免了第一互连层和导电层之间、以及第二互连层和栅极结构之间的短接问题，提升了半导体结构的电学性能和稳定性。
本发明授权半导体结构及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，其特征在于，包括： 基底，所述基底上具有层间介质层； 栅极结构，位于所述基底上，且所述栅极结构的顶部表面低于所述层间介质层的顶部表面； 源漏掺杂层，位于所述栅极结构两侧的所述基底内； 第一开口，位于所述层间介质层内，所述第一开口暴露出所述栅极结构的顶部表面； 第一内侧墙，位于所述第一开口侧壁上，所述第一内侧墙之间具有第一空隙； 第二开口，位于所述层间介质层内，所述第二开口暴露出所述源漏掺杂层的顶部表面； 导电层，位于所述第二开口内，且所述导电层的顶部表面低于所述层间介质层的顶部表面； 第二内侧墙，位于所述导电层暴露出的所述第二开口的侧壁上，所述第二内侧墙之间具有第二空隙。
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