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龙图腾网恭喜深圳知微创新技术有限公司申请的专利一种基准电压产生电路获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112162585B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202010981639.8，技术领域涉及：G05F1/567；该发明授权一种基准电压产生电路是由周忠义;刘兴慧设计研发完成，并于2020-09-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基准电压产生电路在说明书摘要公布了：本发明涉及基准电压源领域，尤指一种基准电压产生电路，本发明提出了一种抗干扰能力强、温度系数低、输出电压可调、生产工艺简单以及价格成本低的薄膜晶体管集成基准电压源。该基准电压源主要由四个薄膜晶体管组成，两个单栅薄膜晶体管作为电流镜使得两支路电流相等，另外两个薄膜晶体管是漏极和栅极短接的双栅薄膜晶体管，对两个双栅薄膜晶体管的栅源电压进行差分以得到输出电压信号，有效地消除两支路间由工艺等因素造成的薄膜晶体管本身的差异；而双栅薄膜晶体管组成的基准电压源则能利用顶栅对底部阈值电压的调控作用来调节输出电压的大小，使得该基准电压电路更具灵活性和实用性。

本发明授权一种基准电压产生电路在权利要求书中公布了：1.一种基准电压产生电路，其特征在于：包括恒压源（Vdd）、正极VTG电压源、负极VTG电压源、第一单栅薄膜晶体管（TFT1）、第二单栅薄膜晶体管（TFT2）、第一双栅薄膜晶体管（TFT3）、第二双栅薄膜晶体管（TFT4）；第一双栅薄膜晶体管（TFT3）、第二双栅薄膜晶体管（TFT4）均设置有顶栅极、背栅极；其中恒压源（Vdd）的正极端通过两个支路连接到第一单栅薄膜晶体管（TFT1）以及第二单栅薄膜晶体管（TFT2）的漏极，其中第一单栅薄膜晶体管（TFT1）、第二单栅薄膜晶体管（TFT2）的栅极短接，其中第一单栅薄膜晶体管（TFT1）的源级与第一双栅薄膜晶体管（TFT3）的漏极连接，第一单栅薄膜晶体管（TFT1）的漏级与第一单栅薄膜晶体管（TFT1）的栅极连接；第二单栅薄膜晶体管（TFT2）的源级与第二双栅薄膜晶体管（TFT4）的漏极连接；第一双栅薄膜晶体管（TFT3）的背栅极分别与自身的漏极短接，第二双栅薄膜晶体管（TFT4）的背栅极分别与自身的漏极短接；第一双栅薄膜晶体管（TFT3）和第二双栅薄膜晶体管（TFT4）的源极连接到恒压源（Vdd）的负极端；正极VTG电压源输出正极顶栅电压（VTG3）到第一双栅薄膜晶体管（TFT3）的顶栅极，负极VTG电压源输出负极顶栅电压（VTG4）到第二双栅薄膜晶体管（TFT4）的顶栅极；第一双栅薄膜晶体管（TFT3）的栅源电压（VGS3）与第二双栅薄膜晶体管（TFT4）的栅源电压（VGS4）的差值则输出为基准电压（Vout）；通过调节恒压源（Vdd）的输出电压使第一单栅薄膜晶体管（TFT1）、第二单栅薄膜晶体管（TFT2）均工作于饱和区；同时通过调节正极顶栅电压（VTG3）以及负极顶栅电压（VTG4），使得第一双栅薄膜晶体管（TFT3）、第二双栅薄膜晶体管（TFT4）均工作于亚阈值区。

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