中南大学蒋杰获国家专利权
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龙图腾网获悉中南大学申请的专利基于飞秒激光的多孔源栅电极垂直晶体管阵列的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114899107B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210527745.8，技术领域涉及：H01L21/428；该发明授权基于飞秒激光的多孔源栅电极垂直晶体管阵列的制备方法是由蒋杰;张艺;黄卓慧;银恺设计研发完成，并于2022-05-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于飞秒激光的多孔源栅电极垂直晶体管阵列的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于飞秒激光的多孔源栅电极垂直晶体管阵列的制备方法，包括以下步骤：在导电衬底上磁控溅射半导体层，并在半导体上旋涂聚苯乙烯微球溶液；待聚苯乙烯微球溶液中的溶剂挥发后，在其上磁控溅射导体层，并用有机溶剂溶解聚苯乙烯微球，即可在导体层中形成多孔结构；采用飞秒激光按照预先设定好的图案对半导体层和含有多孔结构的导体层打穿形成沟槽，并将离子液滴入沟槽和覆盖离子液在部分含有多孔结构的导体层上；在未覆盖离子液的区域引出源极和栅极，并将源极所在单元对应的底部导电衬底作为漏极。本申请减少了图案化过程中的不确定因素，易于集成形成晶体管阵列，且图案化过程简单，可进行多样化图案设计。
本发明授权基于飞秒激光的多孔源栅电极垂直晶体管阵列的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于飞秒激光的多孔源栅电极垂直晶体管阵列的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤一：将导电衬底清洗后，在导电衬底上磁控溅射半导体层，并在半导体上旋涂聚苯乙烯微球溶液； 步骤二：待半导体层上的聚苯乙烯微球溶液中的溶剂挥发后，在其上磁控溅射导体层，并用有机溶剂溶解聚苯乙烯微球，即可在导体层中形成微球轮廓留下的多孔结构； 步骤三：采用飞秒激光按照预先设定好的图案对半导体层和含有多孔结构的导体层打穿形成沟槽，并将离子液滴入沟槽和覆盖离子液在部分含有多孔结构的导体层上； 步骤四：在未覆盖离子液的区域引出源极和栅极，并将源极所在单元对应的底部导电衬底作为漏极，即获得独立的垂直晶体管形成的阵列； 其中，所述步骤四具体为：将未覆盖离子液的区域的一个独立单元的顶部多孔结构的导体层表面引出源极，在其底部导电衬底作为漏极，将未覆盖离子液的区域的另一个独立单元的顶部多孔结构的导体层表面引出栅极。
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