成都通量科技有限公司刘润宇获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉成都通量科技有限公司申请的专利一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114900134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210542947.X，技术领域涉及：H03F1/14；该发明授权一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端是由刘润宇;余益明设计研发完成，并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端在说明书摘要公布了：本发明属于无线通信技术领域，公开了一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端，带体电极隔离MOS管中和电容放大器设置有第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管；第一MOS管中的栅极接正相输入信号端Vin+，第一MOS管中的漏极接正相输出信号端Vout+；第二MOS管中的栅极接反相输入信号端Vin‑，第二MOS管中的漏极接负相输出信号端Vout‑；第三MOS管中的源极连接第一电阻，第三MOS管中的体电极连接第二电阻；第四MOS管中的源极连接第一电阻。本发明可以提高放大器的增益，优化放大器的噪声系数，有助于射频芯片整体性能的提升。
本发明授权一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端在权利要求书中公布了：1.一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器，其特征在于，所述带体电极隔离MOS管中和电容放大器设置有： 第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管； 第一MOS管中的栅极接正相输入信号端Vin+，第一MOS管中的漏极接正相输出信号端Vout+；第二MOS管中的栅极接反相输入信号端Vin-，第二MOS管中的漏极接负相输出信号端Vout-； 第三MOS管中的源极连接第一电阻，第三MOS管中的体电极连接第二电阻；第四MOS管中的源极连接第一电阻，第四MOS管中的体电极连接第三电阻； 所述第一MOS管设置有源极、体电极，源极、体电极接地； 所述第二MOS管设置有源极、体电极，源极、体电极接地； 所述第三MOS管设置有栅极，栅极接正相输入信号端Vin+，第三MOS管中的漏极接负相输出信号端Vout-； 所述第四MOS管设置有栅极，栅极接反相输入信号端Vin-，第四MOS管中的漏极接正相输出信号端Vout+。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人成都通量科技有限公司，其通讯地址为：611731 四川省成都市高新区天全路200号2栋19层；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号