成都通量科技有限公司刘润宇获国家专利权
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龙图腾网获悉成都通量科技有限公司申请的专利一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN114900134B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202210542947.X,技术领域涉及:H03F1/14;该发明授权一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端是由刘润宇;余益明设计研发完成,并于2022-05-18向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端在说明书摘要公布了:本发明属于无线通信技术领域,公开了一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端,带体电极隔离MOS管中和电容放大器设置有第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管;第一MOS管中的栅极接正相输入信号端Vin+,第一MOS管中的漏极接正相输出信号端Vout+;第二MOS管中的栅极接反相输入信号端Vin‑,第二MOS管中的漏极接负相输出信号端Vout‑;第三MOS管中的源极连接第一电阻,第三MOS管中的体电极连接第二电阻;第四MOS管中的源极连接第一电阻。本发明可以提高放大器的增益,优化放大器的噪声系数,有助于射频芯片整体性能的提升。
本发明授权一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器及终端在权利要求书中公布了:1.一种带体电极隔离MOS管中和电容放大器,其特征在于,所述带体电极隔离MOS管中和电容放大器设置有: 第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管; 第一MOS管中的栅极接正相输入信号端Vin+,第一MOS管中的漏极接正相输出信号端Vout+;第二MOS管中的栅极接反相输入信号端Vin-,第二MOS管中的漏极接负相输出信号端Vout-; 第三MOS管中的源极连接第一电阻,第三MOS管中的体电极连接第二电阻;第四MOS管中的源极连接第一电阻,第四MOS管中的体电极连接第三电阻; 所述第一MOS管设置有源极、体电极,源极、体电极接地; 所述第二MOS管设置有源极、体电极,源极、体电极接地; 所述第三MOS管设置有栅极,栅极接正相输入信号端Vin+,第三MOS管中的漏极接负相输出信号端Vout-; 所述第四MOS管设置有栅极,栅极接反相输入信号端Vin-,第四MOS管中的漏极接正相输出信号端Vout+。
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