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龙图腾网获悉中晟鲲鹏光电半导体有限公司;浙江同芯祺科技有限公司申请的专利一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115394667B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210905176.6，技术领域涉及：H01L21/60；该发明授权一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺是由严立巍;文锺;刘文杰;林春慧设计研发完成，并于2022-07-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺在说明书摘要公布了：本发明涉及碳化硅晶圆技术领域，具体的是一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺，本发明包括以下步骤：S1、在碳化硅晶圆的背面键合玻璃载板，再在碳化硅晶圆的正面制作晶体管和ILD层，然后在碳化硅晶圆的正面键合玻璃载板，再翻转晶圆和玻璃载板，再对碳化硅晶圆背面的玻璃载板进行解键合，并去除粘着剂；通过在碳化硅晶圆进行RTA快速合金工艺前，在完成镍金属层和钛金属层的溅镀后，直接在钛金属层表面沉积银金属层，使得银金属层可以随着碳化硅晶圆一同进行RTA快速合金工艺，无需在完成RTA快速合金工后艺多次翻转碳化硅晶圆配合玻璃载盘进行银金属层沉积，简化RTA快速合金的步骤，有效的降低加工成本，提升加工速度。

本发明授权一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶圆RTA快速合金工艺，其特征在于，包括以下步骤： S1、在碳化硅晶圆的背面键合玻璃载板，再在碳化硅晶圆的正面制作晶体管和ILD层，然后在碳化硅晶圆的正面键合玻璃载板，再翻转晶圆和玻璃载板，再对碳化硅晶圆背面的玻璃载板进行解键合，并去除粘着剂； S2、对于步骤S1中得到的碳化硅晶圆，首先采用溅镀工艺在碳化硅晶圆的背面沉积一层钛金属层，然后在钛金属层表面采用溅镀工艺沉积一层镍金属层，最后在镍金属层的表面采用溅镀工艺沉积一层银金属层； S3、对于步骤S2中得到的碳化硅晶圆，取一个玻璃载盘，然后翻转碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆背面的银金属层贴附到玻璃载盘上； S4、对于步骤S3中得到的碳化硅晶圆，再对碳化硅晶圆背面的金属层进行RTA快速合金工艺，使碳化硅晶圆的背面形成欧姆接触，最后再对经过RTA快速合金工艺的碳化硅晶圆表面沉积一层铝金属层； S5、对于步骤S4中得到的碳化硅晶圆，将碳化硅晶圆表面所沉积的铝金属层制作成铝接触点，然后在碳化硅晶圆正面涂布聚酰亚胺，最后进行化镀工艺，在碳化硅晶圆正面的铝接触点表面制作金属连接点。

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