买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉广州粤芯半导体技术有限公司申请的专利半导体器件及其形成方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115172275B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202210971532.4，技术领域涉及：H10D84/85；该发明授权半导体器件及其形成方法是由姜钦;潘亚楼;于绍欣;李超成设计研发完成，并于2022-08-15向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及其形成方法在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体器件及其形成方法，其中形成方法包括：提供衬底，所述衬底包括横向排列的LDMOS区和CMOS区、以及覆盖所述LDMOS区和CMOS区的第一隔离层，所述LDMOS区包括第一隔离结构，所述CMOS区包括第二隔离结构，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构均高于所述第一隔离层；在所述第一隔离层、所述第一隔离结构和所述第二隔离结构表面生长第一阻挡层；刻蚀所述第一阻挡层和部分第一隔离层，暴露所述第一隔离结构的第一拐角、以及所述第一拐角两侧的部分LDMOS区和部分第一隔离结构；对所述第一拐角处进行圆弧化处理，以使所述第一拐角形成对应的圆角。本申请能够提高所得半导体器件的可靠性。

本发明授权半导体器件及其形成方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，所述形成方法包括： 提供衬底，所述衬底包括横向排列的LDMOS区和CMOS区、以及覆盖所述LDMOS区和CMOS区的第一隔离层，所述LDMOS区包括第一隔离结构，所述CMOS区包括第二隔离结构，所述第一隔离结构和所述第二隔离结构均高于所述第一隔离层； 在所述第一隔离层、所述第一隔离结构和所述第二隔离结构表面生长第一阻挡层； 刻蚀所述第一阻挡层和部分第一隔离层，暴露所述第一隔离结构的第一拐角、以及所述第一拐角两侧的部分LDMOS区和部分第一隔离结构； 对所述第一拐角处进行圆弧化处理，以使所述第一拐角形成对应的圆角；所述对所述第一拐角处进行圆弧化处理的方法进一步包括：刻蚀暴露的第一隔离结构，使暴露的第一隔离结构低于所述LDMOS区，所述LDMOS区具有高于刻蚀后的第一隔离结构的第二拐角；在刻蚀后的第一隔离结构向所述LDMOS区扩散形成覆盖所述第二拐角的圆角，所述圆角还延伸至所述第一隔离层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人广州粤芯半导体技术有限公司，其通讯地址为：510700 广东省广州市黄埔区凤凰五路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。