电子科技大学巫江获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种nBn型渐变势垒的红外探测器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483300B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211167708.7，技术领域涉及：H10F77/124；该发明授权一种nBn型渐变势垒的红外探测器是由巫江;钟浩;郭大千;沈凯;任翱博;崔欣悦设计研发完成，并于2022-09-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种nBn型渐变势垒的红外探测器在说明书摘要公布了：本发明公开了一种nBn型渐变势垒的红外探测器，属于红外探测器技术领域，目的在于提供一种nBn型渐变势垒的红外探测器，其基于渐变势垒的设计结构，在确保电子势垒足够高的情况下，通过渐变材料组分的方式减弱空穴势垒对空穴载流子传输造成的影响。其包括衬底，所述衬底上表面从下至上依次设置有缓冲层、下接触层、吸收层、势垒层、上接触层，所述下接触层上表面设置第一电极，所述上接触层上表面设置有第二电极，所述吸收层为InAs0.91Sb0.09材料，所述势垒层为AlAs0.08Sb0.92～AlSb的渐变组合。所述AlAs0.08Sb0.92～AlSb的渐变组合从下至上是由AlSb均匀渐变到AlAs0.08Sb0.92。本发明适用于一种nBn型渐变势垒的红外探测器。
本发明授权一种nBn型渐变势垒的红外探测器在权利要求书中公布了：1.一种nBn型渐变势垒的红外探测器，其特征在于，包括衬底1，所述衬底1上表面从下至上依次设置有缓冲层2、下接触层3、吸收层4、势垒层5、上接触层6，所述下接触层3上表面设置第一电极7，所述上接触层6上表面设置有第二电极8，所述吸收层为InAs0.91Sb0.09材料，所述势垒层为AlAs0.08Sb0.92～AlSb的渐变组合，所述AlAs0.08Sb0.92～AlSb的渐变组合从下至上是由AlSb均匀渐变到AlAs0.08Sb0.92。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学，其通讯地址为：611730 四川省成都市高新区（西区）西源大道2006号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号