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龙图腾网获悉武汉创维光显电子有限公司;深圳创维-RGB电子有限公司申请的专利出光控制方法及出光控制设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115483325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211174957.9，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权出光控制方法及出光控制设备是由胡珊珊;赖隆宽;柯富耀;熊圣锴设计研发完成，并于2022-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本出光控制方法及出光控制设备在说明书摘要公布了：本发明公开了一种出光控制方法及出光控制设备，所述出光控制方法包括步骤：将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层；通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部。本发明提高了高压LED芯片外量子出光效率。

本发明授权出光控制方法及出光控制设备在权利要求书中公布了：1.一种出光控制方法，其特征在于，所述出光控制方法包括步骤： 将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层； 通过所述高折射率材料层和所述低折射率材料层，形成反射型增强膜系，以使所述反射型增强膜系将接收到的光线反射至所述高压LED芯片的外部； 所述将高折射率材料涂覆于高压LED芯片的低折射率材料层上，得到高折射率材料层的步骤包括： 将高折射率材料涂覆于高压LED芯片中单胞芯片的侧面上的低折射材料层上，得到位于所述低折射材料层上的高折射材料层，其中，所述单胞芯片的数量为多个； 其中，所述单胞芯片包括5个发光面，分别为顶面以及四个侧面，且所述单胞芯片在所述高压LED芯片上依序排列，以使所述单胞芯片的四个侧面中的一个侧面与其他单胞芯片的一个侧面彼此相对，且侧面发出的光线照射至其他单胞芯片的侧面； 所述单胞芯片还包括蓝宝石衬底，外延层包括GaN缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层、ITO层和电极层，其中，GaN缓冲层、N-GaN层、MQW量子阱层、P-GaN层和ITO层依次外延生长在所述蓝宝石衬底上，P电极穿过低折射率材料层并设置在所述ITO层上，并与所述P-GaN层连接，N电极穿过低折射率材料层并设置在N-GaN层上； 其中，在两个任意相邻的所述单胞芯片中的其中一个所述单胞芯片中的N电极与另一个所述单胞芯片中的所述P电极相连接，以使高压LED芯片中所有所述单胞芯片串联连接，其中，所述P电极与所述N电极之间通过沉积金属互联。

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