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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115676771B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211322481.9，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法是由蒋鹏;鞠莉娜;王子;徐彤设计研发完成，并于2022-10-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法，该MEMS惯性微模组对ASIC芯片进行双面PAD工艺，将ASIC的两种互联信号进行上下面的分别引出，ASIC芯片顶面PAD设计为与MEMS敏感结构芯片互联信号接口，底面PAD设计为与封装管壳互联的引出信号接口，ASIC芯片与MEMS敏感结构芯片进行堆叠。本发明将MEMS敏感结构芯片放置于ASIC芯片上方，可在一定程度上减少高过载冲击带来的应力传递，提高MEMS惯性微模组整体抗高过载能力。同时将ASIC芯片置于MEMS敏感结构下方，可直接通过植微球焊接的方式将引出信号直接连接到封装管壳上，减少额外的信号互联形式，降低工艺组装复杂度，提升高过载环境下的可靠性。

本发明授权一种抗高过载MEMS惯性微模组及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种抗高过载MEMS惯性微模组的制备方法，其特征在于，包括： S1、对ASIC芯片进行双面加工焊盘，包括： S11、在ASIC芯片周围通过沉积生长或者有机材料注塑的方式增加绝缘基材，形成腔体结构； S12、通过沉积的方式在整个ASIC芯片顶面形成一层二氧化硅绝缘层，称为第二顶面绝缘层，并通过刻蚀的方式暴露ASIC芯片原有PAD； S13、根据ASIC芯片上下表面布线金属层形状，在互联位置处对基材进行盲孔刻蚀，通过芯片背部减薄得到过孔； S14、通过电镀的方式在整个ASIC芯片顶面依次增加顶面种子层与顶面金属层，对过孔进行金属化填充； S15、根据与MEMS敏感结构芯片的PAD植球位置，采用刻蚀的方式对ASIC芯片顶面金属层进行图形化加工，去除多余金属，形成顶面布线金属层； S16、通过沉积的方式在整个ASIC芯片顶面形成一层二氧化硅绝缘层，称为第一顶面绝缘层； S17、对顶面PAD位置进行刻蚀去除绝缘层暴露所需植球的顶面PAD； S18、通过电镀的方式在整个ASIC芯片底面依次增加底面种子层与底面金属层，并根据PAD植球位置对底面金属层进行图形化加工，去除多余金属，形成底面布线金属层； S19、通过沉积的方式在整个ASIC芯片底面形成一层二氧化硅绝缘层，称为底面绝缘层；并通过刻蚀暴露所需植球的底面PAD； S2、将双面加工焊盘的ASIC芯片与MEMS敏感结构芯片进行堆叠互联并焊接至封装管壳内部； S3、对封装管壳内的堆叠芯片进行灌封胶填充。

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