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龙图腾网获悉华东光电集成器件研究所申请的专利一种MEMS敏感结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115709968B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211342032.0，技术领域涉及：B81B3/00；该发明授权一种MEMS敏感结构及其制备方法是由包星晨;王鹏;赵斌;任俊辉;陈健设计研发完成，并于2022-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种MEMS敏感结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种MEMS敏感结构及其制备方法，它包括在硅衬底（8）上从上到下依次包括引线层（5）、绝缘层（3）、第一氧化层（1）、压敏电阻（2）、敏感膜片（9）、第二腔体（7）、第一腔体（6）和第二氧化层（11）。本发明提供的MEMS敏感结构具有开口小的优点，有效的保持了芯片小面积，降低对加工设备能力的要求，工艺简单，适用于MEMS敏感结构芯片制造。

本发明授权一种MEMS敏感结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种MEMS敏感结构的制备方法，所述MEMS敏感结构，包括硅衬底（8），在硅衬底（8）上表面设有第一氧化层（1），在硅衬底（8）下表面设有第二氧化层（11），在第一氧化层（1）下方设有压敏电阻（2），在该第一氧化层（1）上方设有绝缘层（3），在绝缘层（3）和第一氧化层（1）上设有与压敏电阻（2）对应分布的通孔，在通孔内设有与压敏电阻（2）连通的引线层（5），在压敏电阻（2）下方设有敏感膜片（9），在第二氧化层（11）和硅衬底（8）上设有一级孔（6），在一级孔（6）一端的硅衬底（8）上设有与其连通的二级孔（7），二级孔（7）的一端与敏感膜片（9）连通； 其特征在于：它包括以下步骤： S1：在硅衬底（8）硅片表面淀积氧化层，覆盖硅衬底（8）上表面的为第一氧化层（1），覆盖硅衬底（8）下表面的为第二氧化层（11）； S2:通过光刻工艺在第一氧化层（1）表面光刻电阻图形，通过注入方式在第一氧化层（1）下制备出与电阻图形对应的压敏电阻层（2）； S3：在第一氧化层（1）表面淀积氮化硅作为绝缘层（3）； S4：在绝缘层（3）上制备出光刻和刻蚀工艺制备出引线孔（4），在引线孔（4）内通过磁控溅射的方式制备出与压敏电阻层（2）形成连通配合的金属引线层（5）； S5：在第二氧化层（11）上设有向上伸入硅衬底（8）的一级孔（6），在一级孔（6）和第二氧化层（11）上制备保护层（10）； S6：通过刻蚀设备去除一级孔（6）底面上的保护层（10），保留一级孔（6）孔壁上的保护层（10）； S7：通过采用湿法腐蚀在一级孔（6）底面向上向两侧制备出一定深度的二级孔（7），二级孔（7）的顶部与压敏电阻层（2）之间厚度为5-120μm从而在压敏电阻层（2）下方形成整片的敏感膜片（9），从而得到MEMS敏感结构； 所述步骤S2中所述光刻工艺中先在所述第一氧化层（1）表面均匀涂抹2.0μm厚度光刻胶，所述注入方式中通过60KeV注入硼，计量为7.4E14；所述步骤S4中光刻条件：在光刻位置的绝缘层（3）上均匀涂覆2.5μm厚度光刻胶，刻蚀条件：刻蚀设备的功率600W，刻蚀时间65s。

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