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龙图腾网获悉上海交通大学申请的专利一种准确校正荧光次级内滤效应的荧光定量分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115718087B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211465532.3，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权一种准确校正荧光次级内滤效应的荧光定量分析方法是由刘天元;李婉香;富雨超;黄梅珍;李昊宸;梁婉设计研发完成，并于2022-11-22向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种准确校正荧光次级内滤效应的荧光定量分析方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种准确校正荧光次级内滤效应的荧光定量分析方法，包括：获取一系列浓度荧光物质溶液的荧光光谱和吸光度光谱；对所有光谱进行预处理，并设置校正荧光衰减吸收程度系数的考察范围和光谱畸变度的考察段；根据次级内滤效应荧光衰减吸收指数分析模型，利用吸光度光谱校正在考察范围内所有浓度下的荧光光谱，得到不同n值下校正后的荧光光谱；计算在考察范围内各浓度荧光光谱的畸变度；根据全浓度范围内的最小畸变度，确定此时的校正荧光吸收程度系数，即为nopt；利用吸光度光谱计算所有浓度下的当n＝nopt时的荧光光谱，得到校正后的荧光光谱，进而得到待测溶液的浓度。本发明可以提高测量精度。

本发明授权一种准确校正荧光次级内滤效应的荧光定量分析方法在权利要求书中公布了：1.一种准确校正荧光次级内滤效应的荧光定量分析方法，其特征在于，包括： 获取一系列浓度荧光物质溶液的荧光光谱和吸光度光谱； 对所述荧光光谱和所述吸光度光谱进行预处理，并设置校正荧光衰减吸收程度系数n的考察范围和光谱畸变度的考察段； 根据次级内滤效应荧光衰减吸收指数分析模型，利用吸光度光谱校正在n的考察范围内所有浓度下的荧光光谱，得到校正后的不同n值下所有浓度的荧光溶液的荧光光谱； 计算在n的考察范围内各浓度荧光光谱的畸变度； 根据全浓度范围内的最小畸变度，确定此时的校正荧光吸收程度系数n，即为该荧光物质的次级内滤效应荧光衰减吸收指数nopt； 利用吸光度光谱计算所有浓度下的当n＝nopt时的荧光光谱，得到基于nopt校正后的荧光光谱； 根据基于nopt校正后的荧光光谱，得到待测溶液的浓度； 其中：光谱畸变度的考察段为吸光度光谱与荧光光谱产生交叠的部分所在波长段；考察范围根据畸变度的最低点设置，考察范围覆盖畸变度的最低点； 次级内滤效应荧光衰减吸收指数分析模型为： nopt表示次级内滤效应荧光衰减吸收指数，Aem表示发射波长处的吸光度，dem表示发射路径长度，L表示激发路径长度和发射路径长度之和，Fobs表示测得的荧光强度，Fcorr表示从Fobs中校正内滤效应后的最大荧光强度。

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