合肥御微半导体技术有限公司朱昊天获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥御微半导体技术有限公司申请的专利一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN115824285B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202211585214.0，技术领域涉及：G01D18/00；该发明授权一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质是由朱昊天设计研发完成，并于2022-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质在说明书摘要公布了：本发明公开了一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质。传感器位置校准方法，包括：在当前图案阵列移动到传感器视场后，对传感器焦面进行校准；在传感器焦面校准后，获取传感器捕获的图案阵列局部图，并确定与图案阵列局部图匹配的目标特征图形；确定目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置，并获取目标特征图形在基底的基底名义位置；根据待校准位置以及基底名义位置，确定与当前图案阵列匹配的水平向校准数据。本发明实施例的技术方案提升了传感器位置校准的效率，降低了人工成本。
本发明授权一种传感器位置校准方法、装置、设备及介质在权利要求书中公布了：1.一种传感器位置校准方法，其特征在于，包括： 在当前图案阵列移动到传感器视场后，对传感器焦面进行校准； 在传感器焦面校准后，获取传感器捕获的图案阵列局部图，并确定与所述图案阵列局部图匹配的目标特征图形； 确定所述目标特征图形位于传感器视场中心时的待校准位置，并获取目标特征图形在基底的基底名义位置； 根据所述待校准位置以及所述基底名义位置，确定与当前图案阵列匹配的水平向校准数据；所述水平向校准数据，用于描述校准传感器的水平向偏移量； 其中，所述获取目标特征图形在基底的基底名义位置，包括： 确定与所述目标特征图形匹配的目标位置信息图形； 根据所述目标位置信息图形，确定所述目标特征图形在当前图案阵列中的目标阵列位置； 根据所述目标阵列位置，确定所述目标特征图形在基底的基底名义位置。
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