南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司李山获国家专利权
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龙图腾网获悉南京邮电大学;南京邮电大学南通研究院有限公司申请的专利一种基于GaN/PEDOT:PSS平面异质结的忆阻器及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116056467B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310156271.5，技术领域涉及：H10K10/50；该发明授权一种基于GaN/PEDOT:PSS平面异质结的忆阻器及其制备方法是由李山;唐为华;姚佳飞设计研发完成，并于2023-02-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于GaN/PEDOT:PSS平面异质结的忆阻器及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于GaNPEDOT:PSS平面异质结的忆阻器及其制备方法，包括衬底；GaN薄膜，所述GaN薄膜为p型导电，所述GaN薄膜附着于所述衬底表面；PEDOT:PSS有机层，所述PEDOT:PSS有机层为p型导电，所述PEDOT:PSS有机层附着于所述GaN薄膜表面；第一电极，与所述GaN薄膜形成欧姆接触；以及，第二电极，与所述PEDOT:PSS有机层形成欧姆接触。本发明通过GaNPEDOT:PSS异质结产生的空间电荷层与GaN薄膜氮空位的共同作用，可以在外置电压的控制下实现器件电阻在高阻态和低阻态之间切换，实现数据的非易失性写入和擦除。
本发明授权一种基于GaN/PEDOT:PSS平面异质结的忆阻器及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于GaNPEDOT:PSS平面异质结的忆阻器，其特征在于：包括， 衬底（100）； GaN薄膜（200），所述GaN薄膜（200）为p型导电，所述GaN薄膜（200）附着于所述衬底（100）表面，其中，所述GaN薄膜（200）的电阻率为0.1~100Ω·cm，薄膜厚度为200nm~2µm，所述GaN薄膜的p型导电特性通过Mg掺杂实现，掺杂浓度为1017~1019cm-3； PEDOT:PSS有机层（300），所述PEDOT:PSS有机层（300）为p型导电，所述PEDOT:PSS有机层（300）附着于所述GaN薄膜（200）表面，其中，所述PEDOT:PSS有机层（300）的薄膜厚度为10~300nm，电导率为10~1000Scm； 第一电极（400），与所述GaN薄膜（200）形成欧姆接触；以及， 第二电极（500），与所述PEDOT:PSS有机层（300）形成欧姆接触。
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