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龙图腾网获悉南京理工大学申请的专利基于VSBR-MoM的高低频混合电磁散射分析方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116305907B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310232259.8，技术领域涉及：G06F30/20；该发明授权基于VSBR-MoM的高低频混合电磁散射分析方法是由樊振宏;张旭辰;谷继红;丁大志设计研发完成，并于2023-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于VSBR-MoM的高低频混合电磁散射分析方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于VSBR‑MoM的高低频混合电磁散射分析方法，具体步骤如下：首先在软件ANSYS中对进金属介质混合模型进行剖分处理，对于模型的介质部分使用体剖分，对于模型的金属部分的表面使用三角面元进行剖分；将电大尺寸介质划分为高频VSBR域，将电小尺寸金属划分为低频MoM区域；通过高频区射线管累加散射场和低频区的表面电流，将高低频两个区域的贡献进行累加从而得到整体复合目标的总远场，计算出雷达散射截面。本发明综合了体剖分弹跳射线法与矩量法的优点，解决了VSBR方法无法准确计算电小尺寸目标和MoM方法计算资源消耗大的问题。

本发明授权基于VSBR-MoM的高低频混合电磁散射分析方法在权利要求书中公布了：1.一种基于VSBR-MoM的高低频混合电磁散射分析方法，其特征在于，步骤如下： 步骤1，对电大尺寸介质和电小尺寸金属的复合模型进行高低频区域划分，将电大尺寸介质划分为高频区，将电小尺寸金属划分为低频区； 步骤2，低频区模型用三角形面元网格进行剖分拟合，三角形网格的边长设置为十二分之一波长至八分之一波长之间；对于低频区的目标，使用矩量法来进行计算； 步骤3，高频区模型用四面体单元网格进行剖分拟合，剖分四面体单元的边长设置为六分之一波长至四分之一波长之间；对于高频区的目标，使用体剖分弹跳射线法来进行计算； 步骤4，在平面波照射下，考虑高低频两个区域之间的相互耦合作用，计算复合目标的表面电磁流，其中高频VSBR区介质表面电磁流通过出射射线管来模拟，低频MoM区金属表面电流通过RWG基函数来表示；通过将两个区域互相作为激励源迭代更新电流分布来实现所述的考虑高低频两个区域之间的相互耦合作用时，具体方法如下： 1用平面波照射复合模型，首先假设目标表面的感应电流为零，高频区仅受到平面波的激励，在高频区介质表面三角形看作一系列射线管，射线照在介质面进入介质体进行路径和场强追踪直至离开介质体； 2用高频VSBR区的射出的射线管为激励源在低频MoM区产生散射电场和平面波一起激励低频区金属，根据边界条件建立目标表面的电场积分方程，获得低频区金属目标的表面感应电流 3用低频区金属目标表面感应电流激发的散射电场散射磁场和平面波一起激励高频区介质，重新形成射线管进行路径追踪和场强追踪，直至射线管离开目标； 4重复2和3的迭代过程，直到时，代表整个目标在平面波照射后达到稳定，结束迭代过程；其中i为耦合过程的迭代次数，ε为允许的误差； 步骤5，根据高频区域射线管和低频区域的电流分布，计算复合模型的远区散射场，最后得到复合模型的雷达散射截面。

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