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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种少层二硫化钼纳米片的制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116282169B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310323935.2，技术领域涉及：C01G39/06；该发明授权一种少层二硫化钼纳米片的制备方法是由梅青松;廖凌祎;陈子豪;彭宇琦;谭媛媛;张国栋;杨兵;李成林;万亮设计研发完成，并于2023-03-29向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种少层二硫化钼纳米片的制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种少层二硫化钼纳米片的制备方法，属于纳米结构的制造或处理技术领域。本发明方法首先将二硫化钼颗粒放置于金属材质的容置件内，在室温无润滑条件下对其进行连续多次累积轧制；在轧制力作用下容置件发生塑性变形，使二硫化钼内部层与层之间受到平行于轧制方向的剪切应力，并随之发生变形。由于变形的原因，产生应力集中，使得硫‑钼键发生断裂，同时该剪切应力大于二硫化钼内部层间的范德瓦耳斯力，导致二硫化钼沿平行于轧制方向剥离。随着轧制总道次增加，二硫化钼逐渐剥离形成层状二硫化钼纳米片，且层数逐渐减少。该方法使用原料为二硫化钼，所需设备为工业化的生产设备，操作简单、成本低廉、无化学污染。

本发明授权一种少层二硫化钼纳米片的制备方法在权利要求书中公布了：1.一种少层二硫化钼纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： （1）具有容置空间及开口端的金属容置件经退火处理、表面除杂，得到纯化容置件，备用； 金属容置件为圆柱形金属管，金属管由铜制成； （2）将二硫化钼添加至所述纯化容置件的容置空间中，添加完成后封闭开口端，得到密闭容置件，备用； （3）将所述密闭容置件压至扁平状，随后将其置于模具中，得到预轧金属件，备用； （4）对所述预轧金属件进行轧制，每轧制一次后，将轧制后的金属件折叠以实现其在厚度方向上的变形，重复轧制过程，得到轧制金属件，备用； 轧制在10~25℃及无润滑条件下进行；轧制的轧制速度为100~300mmmin； 记一道次为轧制一次，将厚度方向上的变形中每道次轧制的变形量记X，以百分比计，X≤80%； 将轧制的总道次记为N，轧制总道次N与厚度方向上的变形的变形量X的关系满足如下公式：； （5）将所述轧制金属件转移至分散液中，经超声处理，收集上层分散液；上层分散液经干燥，得到少层二硫化钼纳米片； 分散液为不与金属容置件及二硫化钼反应，并具有强挥发性的液体。

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