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龙图腾网获悉中国科学院过程工程研究所申请的专利一种在阴离子交换膜表面原位构筑多组分修饰层的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116443997B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202310360053.3，技术领域涉及：C02F1/469；该发明授权一种在阴离子交换膜表面原位构筑多组分修饰层的方法是由曹宏斌;石绍渊;曹仁强;李玉平;段锋设计研发完成，并于2023-04-06向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种在阴离子交换膜表面原位构筑多组分修饰层的方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种在阴离子交换膜表面原位构筑多组分修饰层的方法：步骤1、耦合电沉积和共沉积法在阴离子交换膜的表面沉积构筑第1层带负电荷修饰层；步骤2、耦合电沉积和共沉积法在第1层带负电荷修饰层表面沉积构筑第1层带正电荷修饰层；步骤3、重复步骤1在第1层带正电荷修饰层表面构筑第2层带负电荷修饰层；……步骤2n、重复步骤2在第n层带负电荷修饰层表面构筑第n层带正电荷修饰层；步骤2n+1、重复步骤1在第n层带正电荷修饰层表面构筑第n+1层带负电荷修饰层；n大于或等于1。本发明能够解决现有阴离子交换膜不能兼顾抗污染性能好、修饰层稳定且可以原位构筑修饰层的问题。

本发明授权一种在阴离子交换膜表面原位构筑多组分修饰层的方法在权利要求书中公布了：1.一种在阴离子交换膜表面原位构筑多组分修饰层的方法，其特征在于，包括如下步骤： 步骤（1）、耦合电沉积和共沉积法在阴离子交换膜的表面沉积构筑第1层带负电荷修饰层； 步骤（2）、耦合电沉积和共沉积法在第1层带负电荷修饰层表面沉积构筑第1层带正电荷修饰层； 步骤（3）、重复步骤（1）在第1层带正电荷修饰层表面构筑第2层带负电荷修饰层； …… 步骤（2n）、重复步骤（2）在第n层带负电荷修饰层表面构筑第n层带正电荷修饰层； 步骤（2n+1）、重复步骤（1）在第n层带正电荷修饰层表面构筑第n+1层带负电荷修饰层； n大于或等于1，n取整；待第n+1层带负电荷修饰层构筑完成，即得到了表面原位构筑多组分修饰层的阴离子交换膜； 步骤（1）中以阴离子型聚电解质和多巴胺作为改性剂在阴离子交换膜的表面构筑带负电荷修饰层；步骤（2）中以阳离子型聚电解质和多巴胺作为改性剂在负电荷修饰层的表面构筑带正电荷修饰层； 步骤（1）中，耦合电沉积和共沉积法在阴离子交换膜的表面沉积构筑带负电荷修饰层的方法包括如下步骤： 步骤（1-1）、配置阴离子型聚电解质、多巴胺和氯化钠的混合溶液A；阴离子型聚电解质为聚苯乙烯磺酸钠； 步骤（1-2）、在电渗析装置的浓室中循环通过氯化钠溶液，淡室中循环通过混合溶液A，利用直流电场的作用在阴离子交换膜面向淡室的一面沉积带负电荷修饰层； 步骤（1-3）、沉积结束后，在淡室中循环去离子水以清洗阴离子交换膜表面、堆膜隔室和输液管路。

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