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龙图腾网获悉哈尔滨工业大学申请的专利一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面制备非晶合金防护薄膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117026191B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311031708.9，技术领域涉及：C23C14/35；该发明授权一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面制备非晶合金防护薄膜的方法是由黄永江;赵天旭;宁志良;范洪波;曹福洋;孙剑飞设计研发完成，并于2023-08-16向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面制备非晶合金防护薄膜的方法在说明书摘要公布了：一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面沉积制备非晶合金防护薄膜的方法，涉及一种非晶合金防护薄膜的制备方法。旨在解决现有的聚酰亚胺薄膜的空间环境耐受能力差的问题。方法：聚酰亚胺薄膜基底的处理，进行离子预溅射，在磁控溅射真空室中进行非晶合金防护薄膜的磁控溅射，在聚酰亚胺薄膜基底表面形成非晶合金防护薄膜；采用的靶材包括合金靶材和单质Ni靶材。本发明结合磁控溅射沉积技术对非晶合金薄膜生长，制备出铝基非晶合金聚酰亚胺基混合薄膜，具备优异的空间环境耐受能力，提升其抗原子氧侵蚀能力。

本发明授权一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面制备非晶合金防护薄膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面制备非晶合金防护薄膜的方法，其特征在于：利用磁控共溅射工艺在聚酰亚胺表面制备非晶合金防护薄膜的方法按照以下步骤进行： 一、聚酰亚胺薄膜基底的处理：利用超声清洗器将聚酰亚胺薄膜分别在丙酮、甲醇以及去离子水中清洗15min，然后在80℃的真空干燥箱中干燥5h，得到处理后的聚酰亚胺薄膜基底； 所述聚酰亚胺薄膜的厚度为25μm，单体分子式为C22H10O5N2； 二、将处理后的聚酰亚胺薄膜基底至于磁控溅射真空室中，抽真空至10-3Pa，设置溅射功率为30W，进行离子预溅射10min； 三、将离子预溅射后的聚酰亚胺薄膜基底置于磁控溅射真空室中，抽真空至10-3Pa，进行非晶合金防护薄膜的磁控溅射，在聚酰亚胺薄膜基底表面形成非晶合金防护薄膜，用于空间防护； 所述非晶合金防护薄膜的磁控溅射的工艺为： ①、调节靶基距为10cm，调节直流电源偏压70V，调节磁控溅射功率至50W，调节氩气流量使靶材起辉稳定后调节系统气压至0.8Pa； ②、在靶材和聚酰亚胺薄膜基底设置挡板，然后进行预溅射14~16min，然后撤去挡板，控制聚酰亚胺薄膜基底匀速转动，并控制聚酰亚胺薄膜基的温度不超过60℃，进行非晶合金防护薄膜的磁控溅射沉积； 所述靶材包括合金靶材和单质Ni靶材； 所述合金靶材按原子百分比由90%的Al和10%Ce组成； 所述合金靶材为圆柱形，直径为60mm，高度为3mm； 所述单质Ni靶材的纯度为99.9%，直径为60mm，高度为2mm； 所述非晶合金防护薄膜按原子百分比由85%的Al、8%的Ni和余量的Ce组成； 所述非晶合金防护薄膜的厚度为400nm。

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