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龙图腾网获悉上海芯元基半导体科技有限公司申请的专利LED显示芯片模块及制作方法、LED显示芯片及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117038700B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311053691.7，技术领域涉及：H10H29/32；该发明授权LED显示芯片模块及制作方法、LED显示芯片及制作方法是由郝茂盛;袁根如;徐志伟;陈朋;马后永;韦慧设计研发完成，并于2023-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本LED显示芯片模块及制作方法、LED显示芯片及制作方法在说明书摘要公布了：本发明提供了一种LED显示芯片模块，包括：第一基板，形成于第一基板的表层的阴极金属环，且阴极金属环围成第一像素显示区；若干阳极金属塞，形成于第一基板的表层，阵列排布于第一像素显示区中；共阴极金属反射镜层覆盖第一像素显示区中的第一基板与阴极金属环的表面，且暴露出若干阳极金属塞；若干像素单元，通过键合胶键合于共阴极金属反射镜层表面，包围对应的第一孔洞；共阴极金属反射镜层包围的像素单元和键合胶围成一第二孔洞，并暴露出阳极金属塞；第一绝缘层，形成于第二孔洞的侧壁上；侧壁金属层，连接N型外延层的侧壁与共阴极金属反射镜层；P电极金属层，连接透明导电层与阳极金属塞。该技术方案解决了芯片转移时对准精度低的问题。

本发明授权LED显示芯片模块及制作方法、LED显示芯片及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种LED显示芯片模块，其特征在于，包括： 第一基板结构；包括：第一基板、阴极金属环以及若干阳极金属塞；其中，所述阴极金属环形成于所述第一基板的表层，且所述阴极金属环围成的区域作为所述LED显示芯片模块的第一像素显示区；所述若干阳极金属塞形成于所述第一基板的表层，且阵列排布于所述第一像素显示区中； 共阴极金属反射镜层，包括：金属反射镜与阵列排布于所述金属反射镜上的若干第一孔洞；所述共阴极金属层覆盖于部分所述第一基板与所述阴极金属环的表面，且暴露出若干所述阳极金属塞，及其周围的部分所述第一基板； 键合胶； 若干像素单元，通过所述键合胶键合于所述共阴极金属反射镜层表面，且分别包围对应的所述第一孔洞；每个像素单元均包括：沿远离所述键合胶的方向上依次堆叠的N型外延层、发光层、P型外延层以及透明导电层；其中，所述金属反射镜，及所述第一孔洞周围包围的所述像素单元和所述键合胶均围成一第二孔洞，并暴露出所述阳极金属塞及其周围的部分第一基板； 第一绝缘层；形成于所述第二孔洞的侧壁上； 侧壁金属层，连接所述N型外延层的侧壁与所述共阴极金属反射镜层； P电极金属层，连接所述透明导电层与所述阳极金属塞。

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