礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司;礼鼎半导体科技(深圳)有限公司冯金良获国家专利权
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龙图腾网获悉礼鼎半导体科技秦皇岛有限公司;礼鼎半导体科技(深圳)有限公司申请的专利一种无芯基板的制造方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN118283950B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202311065360.5,技术领域涉及:H05K3/46;该发明授权一种无芯基板的制造方法是由冯金良设计研发完成,并于2023-08-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种无芯基板的制造方法在说明书摘要公布了:本申请实施例涉及一种无芯基板的制造方法,其包括提供第一分离芯板、第一半固化片、线路层的叠层,所述第一分离芯板包括第一芯层以及依次层叠于所述第一芯层上的第一内层铜箔和第一外层铜箔,所述线路层通过所述第一半固化片结合于所述第一外层铜箔上;于所述线路层上压合第二半固化片及第二分离芯板,所述第二分离芯板包括第二芯层以及依次层叠于所述第二芯层上的第二内层铜箔和第二外层铜箔,所述第二外层铜箔通过所述第二半固化片结合于所述第二外层铜箔上;第一次分板,使所述第一内层铜箔和所述第一外层铜箔分离;以及第二次分板,使所述第二内层铜箔和所述第二外层铜箔分离,得到无芯基板。
本发明授权一种无芯基板的制造方法在权利要求书中公布了:1.一种无芯基板的制造方法,其特征在于,包括: 提供第一分离芯板、第一半固化片、线路层的叠层,所述第一分离芯板包括第一芯层以及依次层叠于所述第一芯层上的第一内层铜箔和第一外层铜箔,所述线路层通过所述第一半固化片结合于所述第一外层铜箔上; 于所述线路层上压合第二半固化片及第二分离芯板,所述第二分离芯板包括第二芯层以及依次层叠于所述第二芯层上的第二内层铜箔和第二外层铜箔,所述第二外层铜箔通过所述第二半固化片结合于所述第二外层铜箔上; 第一次分板,使所述第一内层铜箔和所述第一外层铜箔分离;以及 第二次分板,使所述第二内层铜箔和所述第二外层铜箔分离,得到无芯基板;所述无芯基板包括依次层叠的所述第二外层铜箔、所述第二半固化片、所述线路层、所述第一半固化片及所述第一外层铜箔。
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