季华实验室张传林获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉季华实验室申请的专利一种Nb2Te6I半导体材料及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN116986556B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311082297.6，技术领域涉及：C01B19/00；该发明授权一种Nb2Te6I半导体材料及其制备方法和应用是由张传林;米少波设计研发完成，并于2023-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Nb2Te6I半导体材料及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本申请涉及一种Nb2Te6I半导体材料及其制备方法和应用，所述制备方法包括：将铌源、碲源和碘源混合，在真空密闭空间内通过化学气相输运生长得到所述Nb2Te6I半导体材料。本申请通过控制铌源、碲源和碘源的比例在双温区环境下利用化学气相输运的方法，制备得到Nb2Te6I半导体材料，实现了Nb2Te6I单相材料的可控合成，解决了固态烧结法制备Nb2Te6I过程中难以获得单相的问题，为三元层状金属碘化物半导体材料的单相制备提供了一种新的途径。
本发明授权一种Nb2Te6I半导体材料及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种Nb2Te6I半导体材料的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：将铌源、碲源和碘源混合，在真空密闭空间内通过化学气相输运生长得到所述Nb2Te6I半导体材料； 所述铌源、碲源和碘源中铌单质、碲单质和碘单质的摩尔比为100-x:x:x4～x3，其中，x＝70～72.5； 所述化学气相输运在双温区进行，所述双温区的热端温度为615～635℃，所述双温区的冷端温度为510～530℃。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人季华实验室，其通讯地址为：528200 广东省佛山市南海区桂城街道环岛南路28号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号