杭州电子科技大学钟家松获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州电子科技大学申请的专利一种余辉可调的Cu2+-Li+共掺杂镓酸盐荧光材料的制备及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN117625182B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311612018.2，技术领域涉及：C09K11/62；该发明授权一种余辉可调的Cu2+-Li+共掺杂镓酸盐荧光材料的制备及其应用是由钟家松;梁良;陈芳;余英强;陈雨琪;张腾;毛启楠设计研发完成，并于2023-11-29向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种余辉可调的Cu2+-Li+共掺杂镓酸盐荧光材料的制备及其应用在说明书摘要公布了：本发明公开一种余辉可调的Cu2+‑Li+共掺杂镓酸盐荧光材料，此材料是一种具有宽发射带～230nm和长余辉性能～20min的新型光学材料。此外，随着Li+的加入，发射强度增强6.62倍，缺陷浓度增加3.6倍，余辉时间延长～20min，从而实现了余辉可调谐的过程。本发明中的余辉调制缺陷工程策略可能进一步激发制备高性能的光学信息存储和加密高性能长余辉材料的创新思想。
本发明授权一种余辉可调的Cu2+-Li+共掺杂镓酸盐荧光材料的制备及其应用在权利要求书中公布了：1.一种余辉可调的Cu2+-Li+共掺杂镓酸盐荧光材料，其特征在于，其化学通式为：MGaO2:xCu2+，yLi+，其中,M为一价金属Na，0.0005≤x≤0.012，0≤y≤0.03； 所述余辉可调的Cu2+-Li+共掺杂镓酸盐荧光材料的晶体结构以NaGaO2为基体，掺杂成分为Cu2+和Li+，Cu2+取代基体中Ga3+的格位，Li+取代基体中M+的格位； 所述余辉可调是指：通过调节所述Cu2+-Li+掺杂量来调节余辉时间； 所诉余辉可调的Cu2+-Li+共掺杂镓酸盐荧光材料在355纳米紫外光激发下，其最强发射峰位于585纳米，半峰宽230纳米，余辉时长在1分钟~20分钟。
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