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龙图腾网获悉北京北方华创微电子装备有限公司申请的专利半导体工艺腔室获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118007090B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410160235.0，技术领域涉及：C23C16/02；该发明授权半导体工艺腔室是由刘建军;纪安宽;邓斌;张钦彤设计研发完成，并于2024-02-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体工艺腔室在说明书摘要公布了：本申请公开一种半导体工艺腔室，涉及半导体技术领域。该半导体工艺腔室包括腔室本体和基座组件，腔室本体的容纳空间内可放置沉积盘，且沉积盘可在第一位置与第二位置之间切换，在沉积盘位于第一位置的情况下，沉积盘位于基座组件上方，且基座组件可支撑沉积盘以进行沉积工艺，使容纳空间内产生可轰击沉积盘的等离子体，以在腔室本体的内表面和基座组件的表面均形成保护层；在沉积盘位于第二位置的情况下，沉积盘与基座组件错开，基座组件可支撑晶圆以进行晶圆处理工艺。该方案能够解决目前在预还原工艺过程中工艺腔室内容易出现污染颗粒超标及晶圆的污染风险高、开腔维护所带来的影响工艺腔室的实际使用时间和工艺腔室的维护成本较高的问题。

本发明授权半导体工艺腔室在权利要求书中公布了：1.一种半导体工艺腔室，其特征在于，包括腔室本体（100）、离子过滤器（500）和基座组件（200），所述基座组件（200）可升降地设置于所述腔室本体（100）的容纳空间内，所述容纳空间内可放置沉积盘（300）和所述离子过滤器（500），且所述沉积盘（300）和所述离子过滤器（500）均可在所述容纳空间的第一位置与第二位置之间切换， 在所述沉积盘（300）位于所述第一位置的情况下，所述沉积盘（300）位于基座组件（200）上方，且所述基座组件（200）可支撑所述沉积盘（300）以进行沉积工艺，使所述容纳空间内产生可轰击所述沉积盘（300）的等离子体，以在所述腔室本体（100）的内表面和所述基座组件（200）的表面均形成保护层； 在所述沉积盘（300）位于所述第二位置的情况下，所述沉积盘（300）与所述基座组件（200）错开，所述基座组件（200）可支撑晶圆（800）以进行晶圆处理工艺，所述晶圆处理工艺包括第一预清洗工艺和第二预清洗工艺； 在所述沉积盘（300）位于所述第二位置，且所述离子过滤器（500）位于所述第一位置的情况下，所述基座组件（200）可支撑所述离子过滤器（500）以对所述晶圆（800）进行所述第一预清洗工艺； 在所述沉积盘（300）位于所述第二位置，且所述离子过滤器（500）位于所述第二位置的情况下，所述基座组件（200）可支撑所述晶圆（800）以进行所述第二预清洗工艺。

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