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龙图腾网获悉西安电子科技大学杭州研究院;西安电子科技大学申请的专利一种磁共振射频发射场驻波消除结构及其设计方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN118011295B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-06-24发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202410215202.1，技术领域涉及：G01R33/34；该发明授权一种磁共振射频发射场驻波消除结构及其设计方法是由高阳;张孝通设计研发完成，并于2024-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种磁共振射频发射场驻波消除结构及其设计方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种磁共振射频发射场驻波消除结构及其设计方法，涉及磁共振成像技术领域。所述磁共振射频发射场驻波消除结构包括有用于放置在磁共振射频发射场的波导内的且填充在成像目标体与波导壁体之间的相速度匹配体，其中，所述相速度匹配体采用介电常数与所述成像目标体的平均介电常数相等或接近的介质材料制成，如此通过前述结构设计，可在应用于磁共振射频发射场的波导内后，使电磁波分别在成像目标体的周围区域中和在成像目标体中传播的相速度保持一致，进而可消除因相速度失配引起的二次驻波问题,便于实际应用和推广。

本发明授权一种磁共振射频发射场驻波消除结构及其设计方法在权利要求书中公布了：1.一种磁共振射频发射场驻波消除结构的设计方法，其特征在于，所述磁共振射频发射场驻波消除结构包括有用于放置在磁共振射频发射场的波导内的且填充在成像目标体200与波导壁体之间的相速度匹配体400，其中，所述相速度匹配体400采用介电常数与所述成像目标体200的平均介电常数相等或接近的介质材料制成； 所述设计方法包括有如下步骤S1～S6： S1.在电磁仿真软件中建模得到磁共振波导环境，然后执行步骤S2，其中，所述磁共振波导环境是指磁共振射频发射场的波导环境； S2.将成像目标体200的电磁模型放置在所述磁共振波导环境的输入侧波导端口附近，并仿真测量得到所述磁共振波导环境的第一传播常数β1，然后执行步骤S3； S3.将所述成像目标体200的电磁模型移除所述磁共振波导环境，然后将相速度匹配体400的初始电磁模型放置在所述磁共振波导环境的输入侧波导端口附近且位于所述成像目标体200的电磁模型放置区与所述磁共振波导环境的波导侧壁之间，并再次仿真测量得到所述磁共振波导环境的第二传播常数β2，然后执行步骤S4； S4.判断所述第二传播常数β2是否等于所述第一传播常数β1，若是，则执行步骤S6，否则执行步骤S5； S5.通过调整所述相速度匹配体400的几何形状和或介电常数的方式，对所述相速度匹配体400的当前电磁模型进行优化设计，得到所述相速度匹配体400的新电磁模型，并重新仿真测量得到所述磁共振波导环境的且新的第二传播常数β2，然后返回执行步骤S4； S6.根据所述相速度匹配体400的当前电磁模型，制备得到所述相速度匹配体400的实物。

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